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베이스 기판 상에 중성층을 형성하는 단계;상기 중성층 상에 블록 공중합체를 포함하는 박막을 형성하는 단계; 및상기 박막을 공용매(cosolvent)를 이용하여 어닐링하여 나노 블록들을 형성하는 단계를 포함하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체는 제1 폴리머 및 상기 제1 폴리머와 블록화된(blocked) 제2 폴리머를 포함하고,상기 공용매의 용해 파라미터(solubility parameter, δt)는 상기 제1 폴리머의 용해 파라미터(δ1)와 상기 제2 폴리머의 용해 파라미터(δ2)에 대해서 δ1-1 003c#δt003c#δ2+1인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체가 폴리스티렌-블록-폴리(n-알킬 메타크릴레이트) (polystyrene-block-poly(n-alkyl) methacrylate, 이때 "n-알킬"은 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타냄)를 포함하고,상기 공용매는 용해 파라미터가 17
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제3항에 있어서, 상기 공용매는카본 테트라클로라이드 (carbon tetrachloride), 1,1-디클로로에탄 (1,1-dichloroethane), o-크실렌 (o-xylene), 1,1-디클로로에틸렌 (1,1-dichloroethylene), 에틸아세테이트 (ethyl acetate), 메틸아세테이트 (methyl acetate), 톨루엔 (toluene), 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 트리클로로에탄 (trichloroethane), 벤젠 (benzene), 클로로포름 (chloroform) 및 트리클로로에틸렌(trichloroethylene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체의 중량 평균 분자량은 150,000 내지 300,000인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막이 형성된 베이스 기판은10℃ 내지 20℃에서 상기 공용매로 어닐링하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 공용매로 어닐링한 박막을 포함하는 베이스 기판을 250℃ 내지 300℃에서 열적 어닐링(thermal annealing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 블록 공중합체는 판상형(lamella) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 나노 블록들을 형성하는 단계에서상기 박막 내에서 상기 블록 공중합체와 상기 공용매의 부피비는 6:4 내지 9:1인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 박막을 형성하기 전에 상기 박막 상에 포토 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 박막은 상기 포토 패턴에 의해서 노출되는 상기 중성층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 제조 방법
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금속층이 형성된 베이스 기판 상에 중성층을 형성하는 단계;상기 중성층 상에 블록 공중합체를 포함하는 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 공용매(cosolvent)를 이용하여 어닐링하여 제1 나노 블록 및 제2 나노 블록을 포함하는 나노 구조체를 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 나노 블록들 중 어느 하나가 제거된 잔류 구조체를 식각 방지막으로 이용하여 상기 중성층 및 상기 금속층을 패터닝하는 단계; 및상기 잔류 구조체를 제거하는 단계를 포함하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 블록 공중합체는 제1 폴리머 및 상기 제1 폴리머와 블록화된(blocked) 제2 폴리머를 포함하고,상기 제1 폴리머의 용해 파라미터(solubility parameter, δ1)와 상기 제1 폴리머의 용해 파라미터보다 큰 값을 갖는 상기 제2 폴리머의 용해 파라미터(δ2)에 대해서 상기 공용매의 용해 파라미터(δt)는 δ1-1 003c#δt003c#δ2+1인 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 블록 공중합체의 중량 평균 분자량은 150,000 내지 300,000인 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 공용매로 어닐링한 박막을 포함하는 베이스 기판을 250℃ 내지 300℃에서 열적 어닐링(thermal annealing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 박막을 형성하기 전에 상기 중성층 상에 상기 중성층을 부분적으로 노출시키는 포토 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 나노 구조체를 형성하는 단계는,상기 포토 패턴을 통해서 노출된 상기 중성층 상에 형성된 박막이 상기 공용매로 어닐링되어 상기 제1 및 제2 나노 블록들을 포함하는 제1 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 포토 패턴을 제거하는 단계; 및상기 포토 패턴이 제거된 영역의 상기 중성층 상에 상기 제1 나노 패턴과 동일한 구조를 갖는 제2 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 블록 공중합체는 판상형(lamella) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 금속층을 패터닝하는 단계에서 상기 기판 상에 서로 이격된 격자부들을 포함하는 편광 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 편광 패턴이 형성된 베이스 기판의 일면의 위에 또는 반대면에 형성된 어레이층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 제조 방법
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블록 공중합체를 포함하는 박막이 형성된 기판이 배치되는 반응 챔버;상기 반응 챔버와 연결되어 상기 반응챔버로 공용매 증기(cosolvent vapor)를 공급하는 공용매 공급부; 및상기 반응 챔버와 연결되어 상기 반응챔버 내부의 온도를 제어하는 온도 제어부를 포함하는 제조 장치
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제19항에 있어서, 상기 온도 제어부는상기 반응 챔버 내부의 온도를 10℃ 내지 20℃로 유지시키는 것을 특징으로 하는 제조 장치
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