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웨이퍼;상기 웨이퍼를 식각하여 형성되며, 플립 칩 본딩 시 cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)을 수용하는 수용홈; 및상기 수용홈의 바닥면 일부를 식각하여 형성되는 이격홈을 포함하고,상기 cMUT은 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면을 향하도록 상기 수용홈에 삽입되고, 상기 이격홈의 형성 시 식각되지 않은 상기 수용홈의 바닥면에 안착되어 상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면과 이격되는 지그
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제 1 항에 있어서,상기 수용홈은 상기 웨이퍼를 제 1 설정 깊이만큼 식각하여 형성되고,상기 이격홈은 상기 수용홈의 바닥면을 기준으로 제 2 설정 깊이만큼 식각하여 형성되는 지그
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제 2 항에 있어서,상기 수용홈의 길이 및 폭은 상기 cMUT의 길이 및 폭에 대해 제 1 마진을 가지는 지그
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제 2 항에 있어서,상기 이격홈의 길이 및 폭은 상기 cMUT의 박막 형성 영역의 길이 및 폭에 대해 제 2 마진을 가지는 지그
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제 2 항에 있어서,상기 수용홈 근처에 형성되며 상기 cMUT을 상기 수용홈에 설치할 때 상기 cMUT을 집는 트위저(tweezer)가 놓여지는 트위저 로딩부를 더 포함하고,상기 트위저 로딩부는 상기 웨이퍼를 제 3 설정 깊이만큼 식각하여 형성되는 지그
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제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 유리 웨이퍼(glass wafer) 및 상기 실리콘 웨이퍼 또는 상기 유리 웨이퍼를 이용한 레플리카(replica) 중 어느 하나인 지그
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제 1 항에 있어서,상기 이격홈의 하부에 형성되며, 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막에 진공압을 전달하는 복수의 진공 홀(vacuum hole)을 더 포함하는 지그
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웨이퍼;상기 웨이퍼를 식각하여 형성되며, 플립 칩 본딩 시 cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)을 수용하는 수용홈; 및상기 수용홈의 바닥면 일부를 식각하여 형성되고, 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT이 안착되는 안착단을 포함하고,상기 cMUT은 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막이 상기 수용홈의 식각된 바닥면을 향하도록 상기 수용홈에 삽입되고, 상기 안착단에 안착되어 상기 cMUT의 박막이 상기 수용홈의 식각된 바닥면과 이격되는 지그
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웨이퍼;상기 웨이퍼를 식각하여 형성되며, 플립 칩 본딩 시 복수의 cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)을 수용하는 수용홈; 및각 수용홈의 바닥면 일부를 식각하여 형성되는 복수의 이격홈을 포함하고,상기 cMUT은 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면을 향하도록 상기 수용홈에 삽입되고, 상기 이격홈의 형성 시 식각되지 않은 상기 수용홈의 바닥면에 안착되어 상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면과 이격되는 지그
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플립 칩 본딩 시 cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)를 수용하기 위한 수용홈; 및상기 cMUT의 박막을 보호하기 위해 상기 수용홈의 하부에 형성되는 이격홈을 포함하는 지그
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11
제 10 항에 있어서,상기 수용홈은 웨이퍼를 제 1 설정 깊이만큼 식각하여 형성되고,상기 이격홈은 상기 웨이퍼의 식각된 평면을 기준으로 제 2 설정 깊이만큼 식각하여 형성되는 지그
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웨이퍼;상기 웨이퍼를 식각하여 형성되며, 플립 칩 본딩 시 초음파 트랜스듀서를 수용하는 수용홈; 및상기 수용홈의 바닥면 일부를 식각하여 형성되는 이격홈을 포함하고,상기 초음파 트랜스듀서는 상기 플립 칩 본딩 시 상기 초음파 트랜스듀서의 상면 또는 저면에 형성된 구조물이 상기 이격홈의 바닥면을 향하도록 상기 수용홈에 삽입되고, 상기 이격홈의 형성 시 식각되지 않은 상기 수용홈의 바닥면에 안착되어 상기 초음파 트랜스듀서의 상기 구조물이 상기 이격홈의 바닥면과 이격되는 지그
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웨이퍼를 1차 식각하여 플립 칩 본딩 시 cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)이 수용되는 수용홈을 형성하고;상기 수용홈의 바닥면 일부를 2차 식각하여 상기 플립 칩 본딩 시 상기 수용홈의 바닥면을 향하도록 상기 수용홈에 수용되는 상기 cMUT의 박막이 상기 수용홈의 식각된 바닥면과 이격되도록 이격홈을 형성하는 지그 제작방법
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제 13 항에 있어서, 상기 1차 식각은:상기 웨이퍼의 상면에 상기 cMUT의 길이 및 폭에 대해 제 1 마진을 가지는 길이 및 폭을 가지는 상기 수용홈을 형성하기 위한 제 1 마스킹 층을 형성하고;상기 형성된 제 1 마스킹 층을 식각 차단막으로 하여 상기 웨이퍼를 제 1 설정 깊이만큼 식각하는 지그 제작방법
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제 14 항에 있어서, 상기 2차 식각은:상기 1차 식각된 웨이퍼의 상면에 상기 cMUT의 박막 형성 영역의 길이 및 폭에 대해 제 2 마진을 가지는 길이 및 폭을 가지는 상기 이격홈을 형성하기 위한 제 2 마스킹 층을 형성하고;상기 형성된 제 2 마스킹 층을 상기 식각 차단막으로 하여 상기 웨이퍼를 제 2 설정 깊이만큼 식각하는 지그 제작방법
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제 15 항에 있어서,상기 1차 식각 및 상기 2차 식각 후 형성된 상기 수용홈 및 상기 이격홈의 표면 러프네스(roughness)를 제거하는 표면 처리를 수행하는 것을 더 포함하고,상기 표면 처리는 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide) 디핑, KOH 디핑 및 플라즈마 처리(plasma treatment) 중 어느 하나인 지그 제작방법
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제 13 항에 있어서,상기 웨이퍼를 3차 식각하여 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막에 진공압을 전달하는 복수의 진공 홀을 형성하는 지그 제작방법
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제 17 항에 있어서,상기 웨이퍼의 저면 또는 상기 2차 식각된 웨이퍼의 상면에 일정 길이 및 일정 폭을 가지는 상기 복수의 진공 홀을 형성하기 위한 제 3 마스킹 층을 형성하고,상기 형성된 제 3 마스킹 층을 식각 차단막으로 하여 상기 웨이퍼를 식각하는 것을 포함하는 지그 제작방법
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제 17 항에 있어서,상기 1차 식각, 상기 2차 식각 및 상기 3차 식각은 깊은 반응성 이온 식각법(Deep Reactive-Ion Etching)을 통해 수행하는 지그 제작방법
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웨이퍼를 식각하여 형성되며, cMUT(정전 용량형 미세 가공 초음파 트랜스듀서)을 수용하는 수용홈 및 상기 수용홈의 바닥면 일부를 식각하여 형성되는 이격홈을 포함하는 지그를 제작하고;상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면을 향하도록 상기 cMUT을 상기 수용홈에 설치하되, 상기 cMUT은 상기 이격홈의 형성 시 식각되지 않은 상기 수용홈의 바닥면에 안착되어 상기 cMUT의 박막이 상기 이격홈의 바닥면과 이격되며;상기 수용홈에 설치된 상기 cMUT과 상기 cMUT에 전기적 신호를 전달하는 집적회로를 플립 칩 본딩하는 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
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제 20 항에 있어서,상기 지그는 상기 이격홈의 하부에 형성되며, 상기 플립 칩 본딩 시 상기 cMUT의 박막에 진공압을 전달하는 복수의 진공 홀(vacuum hole)을 더 포함하는 지그를 이용한 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
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제 20 항에 있어서, 상기 플립 칩 본딩은:상기 지그의 저면을 진공 흡착하여 상기 지그의 수용홈에 설치된 상기 cMUT의 위치를 고정하고;상기 집적회로의 솔더 볼이 형성되어 있지 않은 면을 진공 흡착하여 상기 집적회로에 형성된 솔더 볼에 플럭스를 도포하고;상기 집적회로를 진공 흡착한 상태로 상기 집적회로의 상기 솔더 볼이 상기 cMUT에 형성된 본딩 패드에 접촉되도록 상기 집적회로를 상기 cMUT에 정렬하여 예비 접합시키고;상기 예비 접합된 상기 cMUT과 상기 집적회로에 대해 리플로우(reflow) 처리를 진행하는 초음파 프로브용 칩의 플립 칩 본딩방법
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