| 1 |
1
기판 상에 형성되는 게이트 라인과;상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 마련하는 데이터 라인과;상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속되는 박막트랜지스터와;상기 박막트랜지스터와 접속되며 상기 화소 영역에 형성되는 화소 전극과;상기 화소 전극과 동일 평면 상에 형성되어 상기 화소 전극과 수평 전계를 형성하는 공통 전극과;상기 각 화소 영역마다 독립적으로 형성되며, 상기 화소 전극 및 공통 전극과 절연되게 중첩되어 화소 전극 및 공통 전극 각각과 프린지 전계를 형성하는 플로팅 전극을 구비하고,상기 플로팅 전극에는 상기 화소 전극에 공급되는 화소 전압과, 상기 게이트 라인과 나란한 공통 라인을 통해 상기 공통 전극에 공급되는 공통 전압 사이의 중간 전압이 대전되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 화소 전극의 총 면적은 상기 공통 전극의 총 면적과 동일한 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 화소 전극과 상기 플로팅 전극으로 이루어진 제1 스토리지 커패시터와, 상기 공통 전극과 상기 플로팅 전극으로 이루어진 제2 스토리지 커패시터는 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 기판과, 상기 기판과 대향하는 제2 기판 사이에 형성되는 양의 유전 이방성 또는 음의 유전 이방성을 갖는 액정층을 추가로 구비하며,상기 액정층의 두께는 3~4㎛이고, 상기 화소 전극과 공통 전극 간의 간격은 4~8㎛인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 게이트 라인 및 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극은상기 기판 상에 형성되며, 투명 도전층을 이용한 제1 게이트 도전층과;상기 제1 게이트 도전층 상에 형성되며, 불투명 도전층을 이용한 제2 게이트 도전층을 구비하며,상기 플로팅 전극은 상기 제1 게이트 도전층과 동일 평면 상에 동일 재질로 형성되며,상기 플로팅 전극은 상기 게이트 라인 및 데이터 라인 사이에 형성되는 게이트 절연막과, 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되는 보호막을 사이에 두고 상기 화소 전극 및 공통 전극 각각과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 플로팅 전극은 게이트 절연막 상에 형성되며, 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성되는 보호막을 사이에 두고 상기 화소 전극 및 공통 전극 각각과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
|
| 8 |
8
화소 영역을 마련하도록 서로 교차하여 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인과 접속되는 박막트랜지스터를 기판 상에 형성하는 단계와;상기 각 화소 영역마다 독립적으로 형성되는 플로팅 전극을 상기 박막트랜지스터와 동시에 또는 개별적으로 형성하는 단계와;상기 박막트랜지스터와 접속되는 화소 전극을 형성함과 동시에 상기 화소 전극과 동일 평면 상에 상기 화소 전극과 수평 전계를 이루는 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 플로팅 전극은 상기 화소 전극에 공급되는 화소 전압과, 상기 공통 전극에 공급되는 공통 전압 사이의 중간 전압이 대전되고, 화소 전극 및 공통 전극과 절연되게 중첩되어 화소 전극 및 공통 전극 각각과 프린지 전계를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 화소 전극의 총 면적은 상기 공통 전극의 총 면적과 동일한 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 화소 전극과 상기 플로팅 전극으로 이루어진 제1 스토리지 커패시터와, 상기 공통 전극과 상기 플로팅 전극으로 이루어진 제2 스토리지 커패시터는 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 8 항에 있어서, 상기 박막트랜지스터 및 상기 플로팅 전극을 동시에 형성하는 단계는상기 기판 상에 투명 도전층을 이용한 제1 게이트 도전층과, 제1 게이트 도전층 상에 불투명 도전층을 이용한 제2 게이트 도전층으로 형성된 상기 게이트 라인 및 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극을 형성함과 동시에 상기 제1 게이트 도전층과 동일 평면 상에 동일 재질로 상기 플로팅 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 라인 및 상기 박막트랜지스터의 게이트 전극과 상기 플로팅 전극을 덮도록 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상에 상기 박막트랜지스터의 활성층 및 오믹접촉층과 상기 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 플로팅 전극은 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막과, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 화소 전극 및 공통 전극 각각과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 8 항에 있어서,상기 플로팅 전극을 상기 박막트랜지스터와 개별적으로 형성하는 단계는상기 박막트랜지스터가 형성된 기판의 게이트 절연막 상에 투명 도전층으로 이루어진 플로팅 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 플로팅 전극은 상기 박막트랜지스터를 덮도록 형성된 보호막을 사이에 두고 상기 화소 전극 및 공통 전극 각각과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
|
