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정지상태 전류값 검사를 위한 내장형 전류감지회로

  • 기술번호 : KST2015163095
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 검사 대상회로의 전원단에서 접지단으로 흐르는 전류를 효과적으로 감지하고, CMOS 공정으로 용이하게 제작 가능하고 칩에 영향을 적게 미치면서 성능이 우수한 정지상태 전류값(IDDQ; Direct Drain Quiescent Current) 검사를 위한 내장형 전류감지회로를 제공한다.본 발명은 전류감지부, 레벨변환부, 비교부 및 기준전압발생부를 포함하여 구성된다. 검사 대상회로의 전원단(VDD)에서 접지단(GND)으로 흐르는 전류는 전류감지부에서 감지되어 전압으로 변환되며, 이 전압은 다이오드의 사용으로 인하여 0V에서 0.7V 사이에서 변화된다. 상기 레벨 변환부는 상기 전류감지부에서 감지한 낮은 전압을 CMOS 소자가 정상 동작할 수 있는 영역으로 변환한다. 상기 비교부는 상기 기준전압발생부에 설정된 전압과 상기 레벨 변환된 전압을 비교하여 고장 유무를 자동으로 출력한다. 상기 레벨 변환부는 검사 대상회로가 고속으로 동작할 때 상기 비교부에서 사용된 클럭과 상기 전류감지부측 캐패시터의 영향으로 IDDQ가 영향을 받을 수 있으므로 상기 비교부와 검사 대상회로를 완전히 분리하는 역할도 한다.내장형 전류감지기, 전류검사, IDDQ검사, 브리징 고장(Bridging Fault)
Int. CL G01R 31/28 (2006.01)
CPC G01R 31/3008(2013.01) G01R 31/3008(2013.01)
출원번호/일자 1020010078677 (2001.12.12)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0048695 (2003.06.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송근호 대한민국 경상남도진주시
2 김은동 대한민국 경상남도창원시
3 김남균 대한민국 경상남도창원시
4 김상철 대한민국 경상남도마산시합포구
5 서길수 대한민국 경상남도창원시
6 방욱 대한민국 경상남도창원시가음동
7 김태진 대한민국 부산광역시금정구
8 한석봉 대한민국 경상남도진주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박래봉 대한민국 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2001-0328314-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0029303-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0373468-33
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2004.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0020196-75
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

정지상태 전류값(IDDQ) 검사를 위한 내장형 전류감지회로에 있어서,

검사 대상회로의 전원단에서 접지단으로 흐르는 전류를 전압으로 변환하여 검출하는 전류 감지부와,

상기 전류 감지부에서 검출된 전압을 레벨 변환하는 레벨변환부와,

기준전압을 발생하는 기준전압발생부와,

상기 레벨변환부의 레벨변환 전압과 상기 기준전압발생부의 설정전압을 비교하여 상기 검사 대상회로에 대한 고장 유무의 판별신호를 출력하는 비교부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

2 2

제1항에 있어서,

상기 전류감지부는 검사 대상회로의 전원단에서 접지단 사이에 병렬 연결된 MOSFET와 다이오드를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

3 3

제2항에 있어서,

상기 레벨변환부는 상기 전류감지부의 검출전압을 CMOS 소자가 정상동작 가능한 영역으로 레벨 변환하는 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

4 4

제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서,

상기 레벨변환부는 상기 비교부와 상기 검사 대상회로를 전기적으로 완전히 분리시키는 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

5 5

제1항에 있어서,

상기 비교부는 두 개의 인버터를 포함하는 래치회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

6 6

제5항에 있어서,

상기 래치는 단상 클럭신호에 의하여 구동되며, 상기 비교기는 상기 클럭신호의 주기 끝에서 트리거링하는 것을 특징으로 하는 내장형 전류감지회로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.