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전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 센서의제조방법

  • 기술번호 : KST2015223582
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8)및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성 특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다. 본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.
Int. CL G01N 27/28 (2006.01)
CPC G01N 27/414(2013.01) G01N 27/414(2013.01)
출원번호/일자 1019970003543 (1997.02.05)
출원인 대한민국경북대학교센서기술연구소
등록번호/일자 10-0217882-0000 (1999.06.07)
공개번호/일자 10-1998-0067489 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.02.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국경북대학교센서기술연구소 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손병기 대한민국 대구광역시 수성구
2 박이순 대한민국 대구광역시 수성구
3 김상태 대한민국 대구광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교산학협력단 대구광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0011491-26
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0011492-72
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.02.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0011493-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.04 수리 (Accepted) 4-1-1999-0028808-10
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0100225-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8) 및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 있어서, 광중합형 고분자를 이용하여 사진식각법으로 이산화탄소 센서용 수화젤막 및 기체투과막을 형성할 때 산소에 의한 중합금지 작용을 회피시키기 위해 N,N,N',N'-테트라메틸 에틸렌디아민(TED)을 산소감쇄제로 사용하여 2중구조의 감지막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 센서의 제조방법

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제1항에 있어서, 상기 수화젤막은 HEMA와 아크릴아미드 단량체, 광개시제인 DMPA, 가교제인 MBAA, 점증제인 PVP 및 용매인 물/에틸렌 글리콜과 NaHCO3, NaC l염의 조성을 가지는 광중합형 감광용액을 제조한 후 여기에 산소 중합금지 작용 방지를 위한 TED를 넣어 제조한 감광액을 사진식각공정에 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 센서의 제조방법

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제1항에 있어서, 상기 기체투과막은 UV-올리고머, 광개시제인 DMPA, 용매인 THF 조성의 광중합형 감광용액을 제조한 후 여기에 산소 중합금지 작용 방지를 위한 TED를 넣어 제조한 감광액을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 센서의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
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