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이차원 전이금속 디칼코겐 화합물을 발광층으로 하는 발광소자와 그 제조방법(A light-emitting diode having transition metal dichalcogen compound of two-dimensional(2D) structure as light-emitting layer and its preparing process)

  • 기술번호 : KST2017000113
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이차원 전이금속 디칼코겐 화합물을 발광층으로 하는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적 CVD 방법으로 이차원 전이금속 디칼코겐 화합물이 고분자 절연체의 샌드위치 구조로 적층되어 발광 특성을 발휘하도록 이루어진 발광소자와 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/285 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01) H01L 51/5012(2013.01)
출원번호/일자 1020150090746 (2015.06.25)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0001160 (2017.01.04) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.25)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손동익 대한민국 전라북도 완주군
2 김수민 대한민국 전라북도 완주군
3 안석훈 대한민국 전라북도 완주군
4 심재호 대한민국 전라북도 완주군
5 최수영 대한민국 전라북도 완주군
6 이규승 대한민국 전라북도 완주군
7 이주송 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한라특허법인(유한) 대한민국 서울시 서초구 강남대로 ***(서초동, 남강빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0618276-77
2 대리인선임신고서
Report on Appointment of Agent		 2015.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-5033520-42
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0096973-08
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0342588-35
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0342574-07
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0293178-37
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자 절연체 사이에 샌드위치 적층된 2차원 구조의 전이금속 디칼코겐 화합물을 발광층으로 가지는 발광소자이고, 상기 발광소자는 소자기판/정공주입층/정공수송층/PMMA/MoS2/PMMA/전자수송층/전극의 적층 구조인 것임을 특징으로 하는 발광소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서, ITO/PEDOT:PSS/poly-TPD/PMMA/MoS2/PMMA/TPBi/Al전극의 적층 구조인 것임을 특징으로 하는 발광소자
6 6
성장기판상에서 기상화학증착법(CVD)을 이용하여 전이금속 디칼코겐 화합물을 성장시켜 박막으로 제조하는 단계;소자기판상에 정공주입층과 정공수송층을 형성하는 단계;상기 정공수송층 위에 고분자 절연체를 코팅하여 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층에 발광층으로 상기 제조된 박막을 전사하는 단계;전사된 박막 위에 다시 고분자 절연체를 코팅하여 제2 절연층을 형성하는 단계;상기 제2 절연층 위에 전자수송층을 형성하는 단계; 및상기 전자수송층 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전이금속 디칼코겐 화합물은 MoS2 이고, 상기 고분자 절연체는 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 인 발광소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
청구항 6에 있어서, 정공주입층은 PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate)) 용액으로 스핀 코팅에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서, 정공수송층은 poly-TPD(poly[(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine)]), PVK, PFO, MEH-PPV 중에서 선택된 것을 스핀 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
11 11
청구항 6에 있어서, 전자수송층은 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol 2-yl)benzene) 또는 BPhen 의 유기물이나 ZnO 또는 TiO2 의 금속산화물 중에서 선택된 것을 스핀 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.