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하기 화학식 1의 전구체인 폴리아믹산으로 기재 상에 코팅된 후 열처리에 의해 780 nm 이상의 파장대의 빛을 흡수하는 것이 특징인 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드:[화학식 1]상기 식에서, A는 비치환된 2가의 C5-24 아릴렌기, 2가의 C5-24 헤테로 고리 또는 2가의 C6-10 다리 걸친(bridged) 비사이클릭 고리이거나, 2개 이상의 상기 방향족 고리가 O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p (이때 1≤p≤10), (CF2)q (이때 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH의 관능기에 의해 공유결합되어 있고;B는 비치환된 4가의 C5-24 아릴렌기, 4가의 C5-24 헤테로 고리 또는 4가의 C6-10 다리 걸친(bridged) 비사이클릭 고리이거나, 2개 이상의 상기 방향족 고리가 서로 접합(fused)되어 축합 고리를 형성하거나, O, S, C(=O), CH(OH), S(=O)2, Si(CH3)2, (CH2)p (이때 1≤p≤10), (CF2)q (이때 1≤q≤10), C(CH3)2, C(CF3)2, 또는 C(=O)NH의 관능기에 의해 공유결합되어 있고;R1 내지 R4는 수소이고;x는 1 내지 10의 정수이고;n은 5 내지 1000의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 A는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 폴리이미드:, , , , , , , 및
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제1항에 있어서, 상기 A는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 폴리이미드:, , , , , , , 및
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제1항에 있어서, 상기 B는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 폴리이미드:, , , , , , , , , 및
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제1항에 있어서, 상기 B는 하기로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 폴리이미드:, , , , , , , 및
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드는 하기 화학식 1b로 표시되는 폴리이미드:[화학식 1b]상기 식에서, n은 5 내지 1000의 정수이다
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하기 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 제조방법:1) 하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및2) 상기 단계 1)에서 얻은 화학식 4로 표시되는 화합물을 열처리하여 화학식 1로 표시되는 화합물을 얻는 단계(단계 2)
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제7항에 있어서, 상기 단계 1) 이전에 하기 단계 a) 및 b)를 추가로 포함하는 방법:a) 하기 화학식 6으로 표시되는 화합물을 하기 화학식 7로 표시되는 화합물과 반응시켜 하기 화학식 5로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 a); 및b) 상기 단계 a)에서 얻은 화학식 5로 표시되는 화합물을 환원반응시켜 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 b)
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제8항에 있어서, 상기 단계 b)의 환원 반응은 환원제로서 NH4Cl, N2H4-H2O, NaBH4 또는 이의 혼합물을 사용하여 수행되는 방법
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제7항에 있어서, 상기 단계 2)의 열처리는 150℃ 내지 500℃에서 수행되는 방법
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12
삭제
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제1항의 폴리이미드 제조용 하기 화학식 4로 표시되는 폴리이미드 전구체 화합물:[화학식 4]상기 식에서, A, B, R1 내지 R4, x 및 n은 제1항에서 정의한 바와 같다
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 폴리이미드를 포함하는 유기반도체소자
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제14항에 있어서, 상기 유기반도체소자는 유기발광다이오드, 유기태양전지 또는 유기트랜지스터인 유기반도체소자
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16
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 폴리이미드를 포함하는 적외선 흡수 필름
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