맞춤기술찾기

이전대상기술

층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체 및 이의 제조 방법(CONTROLLING INTERLAYER DISTANCE OF GRAPHENE-SILICON COMPOSITE AND PREPARING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017012846
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체, 상기 복합체의 제조 방법, 및 상기 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체를 전극 물질로서 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것이다.
Int. CL C01B 31/04 (2016.03.14) C01B 33/02 (2016.03.14) C01B 33/113 (2016.03.14) C01B 31/36 (2016.03.14) C04B 35/634 (2016.03.14) H01M 4/36 (2016.03.14) H01M 4/38 (2016.03.14) H01M 4/587 (2016.03.14) H01M 10/052 (2016.03.14)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020160010453 (2016.01.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0090069 (2017.08.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.28)
심사청구항수 18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 김도영 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 이근식 대한민국 경기도 부천시 오정구
4 김용신 대한민국 광주광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한선희 대한민국 서울시 강남구 논현로 *** 여산빌딩 *층 ***호(온유특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0093119-37
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0010415-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.05.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2017-0023191-28
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0503594-33
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0902620-90
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0902621-35
9 등록결정서
Decision to grant
2018.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0067857-75
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 그래핀 층과 제 2 그래핀 층 및 상기 제 2 그래핀 층과 제 3 그래핀 층을 연결하는 기둥 물질을 포함하고, 상기 제 1 그래핀 층, 상기 제 2 그래핀 층, 상기 제 3 그래핀 층, 및/또는 상기 기둥 물질은 각각 독립적으로 실리콘-함유 입자를 포함하고,상기 실리콘-함유 입자는 실리카, Si, SiO, SiC, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 입자, 나노입자, 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 또는 박막을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질은 하나 이상의 아릴기, 알킬기, 바이닐기, 알릴기, 알콕시기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질은 비스-디아조늄 염, 디아조늄 염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
5 5
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질의 종류 및/또는 상기 기둥 물질에 포함되는 분자의 크기에 따라 상기 그래핀-실리콘 복합체의 층 간격이 조절되는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
7 7
산화 그래핀을 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 환원된 산화 그래핀을 형성하는 단계; 상기 환원된 산화 그래핀을 포함하는 용액에 계면활성제를 첨가하여 상기 환원된 산화 그래핀을 분산시키는 단계;상기 환원된 산화 그래핀을 포함하는 용액에 N2+에 의해 양 말단이 활성화된 기둥 물질을 첨가하여 상기 환원된 산화 그래핀 사이의 층 간격을 조절하는 단계; 및,상기 층 간격이 조절된 환원된 산화 그래핀 용액에 실리콘 전구체를 첨가하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 계면활성제 첨가 후 상기 분산된 산화 그래핀을 균질화하기 위한 초음파 처리 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질 첨가 후 생성된 응집물을 제거하기 위한 여과 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 전구체 첨가 후 소결시키는 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질은 하나 이상의 아릴기, 알킬기, 바이닐기, 알릴기, 알콕시기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
12 12
제 7 항에 있어서,상기 계면활성제는 소듐 C10-16 알킬 벤젠 설포네이트, 소듐 C10-16 알킬 설페이트, 폴리아크릴 산, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
13 13
제 7 항에 있어서,상기 환원제는 히드라진, 요오드화 수소산, 소듐 보로하이드라이드, 아스코르빈산, 소듐 하이드록사이드, 포타슘 하이드록사이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
14 14
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질은 비스-디아조늄 염, 디아조늄 염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
15 15
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 전구체는 테트라에틸 오쏘실리케이트, 트리에톡시메틸 실리케이트, 디에톡시디메틸실란, 에톡시트리메틸실란, 3-아미노-프로필트리에톡시실란, 3-아미노-프로필트리메톡시실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
16 16
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질의 종류 및/또는 상기 기둥 물질에 포함되는 분자의 크기에 따라 상기 그래핀 층 간격이 조절되는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
17 17
서로 대향 배치되는 양극과 음극; 상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 분리막; 및,전해질을 포함하며, 상기 양극 및/또는 상기 음극은 제 1 항에 따른 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체를 포함하는 것인, 리튬 이차전지
18 18
제 17 항에 있어서,상기 전해질은 수계 전해질, 유기계 전해질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 리튬 이차전지
19 19
제 17 항에 있어서,상기 분리막은 이온을 통과시키는 다공성 분리막인, 리튬 이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.