1 |
1
제 1 그래핀 층과 제 2 그래핀 층 및 상기 제 2 그래핀 층과 제 3 그래핀 층을 연결하는 기둥 물질을 포함하고, 상기 제 1 그래핀 층, 상기 제 2 그래핀 층, 상기 제 3 그래핀 층, 및/또는 상기 기둥 물질은 각각 독립적으로 실리콘-함유 입자를 포함하고,상기 실리콘-함유 입자는 실리카, Si, SiO, SiC, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 입자, 나노입자, 나노와이어, 나노로드, 나노튜브, 또는 박막을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
|
2 |
2
삭제
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질은 하나 이상의 아릴기, 알킬기, 바이닐기, 알릴기, 알콕시기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질은 비스-디아조늄 염, 디아조늄 염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 기둥 물질의 종류 및/또는 상기 기둥 물질에 포함되는 분자의 크기에 따라 상기 그래핀-실리콘 복합체의 층 간격이 조절되는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 그래핀은 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체
|
7 |
7
산화 그래핀을 포함하는 용액에 환원제를 첨가하여 환원된 산화 그래핀을 형성하는 단계; 상기 환원된 산화 그래핀을 포함하는 용액에 계면활성제를 첨가하여 상기 환원된 산화 그래핀을 분산시키는 단계;상기 환원된 산화 그래핀을 포함하는 용액에 N2+에 의해 양 말단이 활성화된 기둥 물질을 첨가하여 상기 환원된 산화 그래핀 사이의 층 간격을 조절하는 단계; 및,상기 층 간격이 조절된 환원된 산화 그래핀 용액에 실리콘 전구체를 첨가하는 단계를 포함하는, 제 1 항에 따른 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 계면활성제 첨가 후 상기 분산된 산화 그래핀을 균질화하기 위한 초음파 처리 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질 첨가 후 생성된 응집물을 제거하기 위한 여과 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
10 |
10
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 전구체 첨가 후 소결시키는 단계를 추가 포함하는, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
11 |
11
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질은 하나 이상의 아릴기, 알킬기, 바이닐기, 알릴기, 알콕시기, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
12 |
12
제 7 항에 있어서,상기 계면활성제는 소듐 C10-16 알킬 벤젠 설포네이트, 소듐 C10-16 알킬 설페이트, 폴리아크릴 산, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
13 |
13
제 7 항에 있어서,상기 환원제는 히드라진, 요오드화 수소산, 소듐 보로하이드라이드, 아스코르빈산, 소듐 하이드록사이드, 포타슘 하이드록사이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
14 |
14
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질은 비스-디아조늄 염, 디아조늄 염, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
15 |
15
제 7 항에 있어서,상기 실리콘 전구체는 테트라에틸 오쏘실리케이트, 트리에톡시메틸 실리케이트, 디에톡시디메틸실란, 에톡시트리메틸실란, 3-아미노-프로필트리에톡시실란, 3-아미노-프로필트리메톡시실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
16 |
16
제 7 항에 있어서,상기 기둥 물질의 종류 및/또는 상기 기둥 물질에 포함되는 분자의 크기에 따라 상기 그래핀 층 간격이 조절되는 것인, 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
|
17 |
17
서로 대향 배치되는 양극과 음극; 상기 양극과 상기 음극 사이에 형성된 분리막; 및,전해질을 포함하며, 상기 양극 및/또는 상기 음극은 제 1 항에 따른 층 간격이 조절된 그래핀-실리콘 복합체를 포함하는 것인, 리튬 이차전지
|
18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 전해질은 수계 전해질, 유기계 전해질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 리튬 이차전지
|
19 |
19
제 17 항에 있어서,상기 분리막은 이온을 통과시키는 다공성 분리막인, 리튬 이차전지
|