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고체상의 폴리아닐린 에메랄딘 염기를 캄포술폰산으로 도핑하여 캄포술폰산이 도핑된 폴리아닐린 에메랄딘 염 분말을 수득하는 단계(단계 1); 단계 1에서 수득한 분말과 메타크레졸을 혼합하고, 클로로포름을 첨가하여 혼합용액을 제조하는 단계(단계 2); 및 단계 2의 혼합용액을 방치하는 단계(단계 3)를 포함하여 폴리아닐린 젤을 제조하는 단계;제조된 폴리아닐린 젤을 용매에 혼합하여 제조한 방사용액을 방사하여 파이버를 제조하는 단계; 및상기 파이버를 동결 후 진공 건조하여 메타크레졸을 승화시키는 단계를 포함하는 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 방사는 습식 방사인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 메타크레졸을 승화시키는 단계는, 파이버를 동결 후 진공 건조 전에 상온에서 유지시키는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 3에 있어서, 상기 상온에서 유지시키는 과정은, 2 ~8시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 파이버를 동결 후 진공 건조하여 메타크레졸을 승화시키는 단계는, 방사된 파이버를 1 ~ 10분간 액체 질소로 동결시킨 후, 3 ~ 8시간 동안 진공 건조시키는 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 1의 폴리아닐린 에메랄딘 염기는,아닐린 단량체를 포함하는 유기용매에 무기산 수용액을 첨가하여 반응용액을 제조하는 단계(단계 a); 개시제가 용해된 무기산을 상기 단계 a의 반응용액에 첨가하여 폴리아닐린 에메랄딘 염을 제조하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b의 폴리아닐린 에메랄딘 염에 염기성 수용액을 처리하여 고체상의 폴리아닐린 에메랄딘 염기를 수득하는 단계(단계 c)를 포함하여 제조되고,상기 단계 a의 유기용매는 아세톤, 알코올, 클로로포름, 헥산, 에틸아세테이트, 아세토니트릴, 테트라히드로퓨란, 에테르 및 디클로로메탄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하고,상기 단계 a의 무기산 수용액에는 염화리튬이 용해되어 있는 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 단계 a는 -20℃ ~ -40℃에서 반응을 수행하는 것을 특징으로 하는, 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 단계 b의 개시제는 과황산암모늄인 것을 특징으로 하는, 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 2에서, 상기 혼합용액에 탄소물질을 더 첨가하는 것을 특징으로 하는, 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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청구항 9에 있어서, 상기 탄소물질은 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는, 슈퍼커패시터 전극용 폴리아닐린 파이버 제조방법
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