| 1 |
1
(a) 내측에 원수 및 광촉매가 위치된 광촉매반응조에 LED가 조사되는 단계; 및(b) 내측에 흡착제가 위치된 흡착반응조로 상기 (a) 단계에서 처리된 처리수가 유입되는 단계를 포함하며,상기 광촉매는, 그래파이트 탄소 질화물(graphite carbon nitride)과 탄소 양자점(carbon quantum dot)이 혼화된 이후, 열수처리되어 생성되며,상기 열수처리는 100 내지 200℃에서 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 열수처리는 170 내지 190℃에서 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 열수처리는 4 내지 20시간 동안 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 열수처리는 11 내지 13시간 동안 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 흡착제는 표면에 마그네타이트(magnetite)가 위치된 입상활성탄인 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 흡착제는, 상기 입상활성탄과 황산철 수산화물(FeSO4·7H2O)이 교반된 이후, 70 내지 90℃에서 1 내지 3시간 동안 가열되어 생성되는 난분해성 미량유기오염물질 처리방법
|
| 10 |
10
원수가 유입되는 광촉매반응조;상기 광촉매반응조의 내측에 위치된 광촉매;상기 광촉매반응조에서 처리된 처리수가 유입되는 흡착반응조; 상기 흡착반응조의 내측에 위치된 흡착제; 및상기 광촉매반응조에 조사하는 LED를 포함하며,상기 광촉매는, 그래파이트 탄소 질화물(graphite carbon nitride)과 탄소 양자점(carbon quantum dot)이 혼화된 이후, 열수처리되어 생성되며,상기 열수처리는 100 내지 200℃에서 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리장치
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제 10 항에 있어서,상기 열수처리는 170 내지 190℃에서 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리장치
|
| 13 |
13
제 12 항에 있어서,상기 열수처리는 11 내지 13시간 동안 이루어지는 난분해성 미량유기오염물질 처리장치
|
| 14 |
14
제 10 항에 있어서,상기 흡착제는 표면에 마그네타이트(magnetite)가 위치된 입상활성탄인 난분해성 미량유기오염물질 처리장치
|
| 15 |
15
제 14 항에 있어서,상기 흡착제는 상기 입상활성탄과 황산철 수산화물(FeSO4·7H2O)이 교반된 이후, 70 내지 90℃에서 1 내지 3시간 동안 가열되어 생성되는 난분해성 미량유기오염물질 처리장치
|
