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온도에 따라 기 설정된 비율로 변화하는 열-광학 계수(Thermo-Optic Coefficient)를 가지고 복수의 나노홀을 포함하는 원형으로 형성된 제1 물질; 및온도에 따른 상기 제1 물질의 열-광학 계수의 변화 방향과 상반되는 방향으로 변화하는 열-광학 계수를 가지고, 상기 복수의 나노홀에 채워지는 제2 물질;을 포함하고,상기 복수의 나노홀 간의 간격은,입사되는 광의 파장보다 짧은 피치(pitch)로 형성되는 원형 공진기
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제1항에 있어서,상기 제2 물질은,상기 온도에 따른 제2 물질의 열-광학 계수의 변화에 기초하여 상기 제1 물질의 열-광학 계수의 변화가 상쇄되도록 상기 제1 물질의 체적에 대한 비율로 상기 복수의 나노홀에 채워지는 원형 공진기
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노홀 각각은,상기 제1 물질의 일면에서 타면으로 관통하는 관통 홀인 원형 공진기
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노홀의 간격은,서로 다른 피치로 형성된 간격을 포함하는 원형 공진기
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제1항에 있어서,상기 제1 물질은,링 형태 또는 디스크 형태인 원형 공진기
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제1항에 있어서,상기 제1 물질은 반도체 소재 또는 절연체 물질이고,상기 반도체 소재는 Si, Ge 또는 화합물 반도체 소재이며,상기 절연체 물질은 Si3N4 또는 SiO2인 원형 공진기
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7
제1항에 있어서,상기 제2 물질은,TiO2, MgZnO, YCOB 또는 GdCOB인 원형 공진기
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제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항의 상기 원형 공진기;를 포함하고,기판;상기 기판 상에 위치하고 입사된 광이 이동하는 광도파로;를 더 포함하고,상기 원형 공진기는 상기 기판 상에 위치하고 상기 광도파로에 인접하게 배치되는 광 변환기
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제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항의 상기 원형 공진기;를 포함하고,상기 제1 물질은 이종의 물질들로 형성된 복수의 층을 포함하고,상기 제1 물질의 열-광학 계수는 상기 이종의 물질들 각각에 대한 열-광학 계수의 평균 열-광학 계수인 광학 소자
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