맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

Pb이 도핑된 Cu2O 박막과 이를 포함하는 광전자소자 및 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019023712
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Pb이 도핑된 Cu2O 박막에 관한 것으로서, 상세하게는, Cu2O 박막 상에 Pb을 도핑함으로써, (100)면이 우선 배향 성장되도록 하여 박막 성장 방향을 제어하는 것을 특징으로 하는, Pb이 도핑된 Cu2O 박막에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0288 (2006.01.01) H01L 27/02 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160136503 (2016.10.20)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1836337-0000 (2018.03.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20180419) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.20)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이호성 대한민국 대구광역시 수성구
2 김형훈 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 부산광역시 연제구 중앙대로 ****, *층 (거제동)(아너스특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대구광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1019751-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0007668-29
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0563586-63
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0977320-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1125036-00
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1125038-91
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0093075-32
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Cu2O 박막에 Pb을 도핑하여 박막 성장 방향을 제어하되,Pb이 도핑된 Cu2O 박막은 전착법을 이용하여 형성되고, (100)면이 우선 배향 성장하며, 홀이동도가 272cm2/Vs 내지 439cm2/Vs이고, 비저항이 9
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 Pb이 도핑된 Cu2O 박막은, 삼각뿔 형태로 성장하는 것을 특징으로 하는, Pb이 도핑된 Cu2O 박막
4 4
제 1 항에 있어서,상기 Pb이 도핑된 Cu2O 박막은 Cu 50 내지 65원자%, O 32 내지 45원자% 및 Pb 3 내지 10원자%를 포함하는 것을 특징으로 하는, Pb이 도핑된 Cu2O 박막
5 5
제 1 항에 있어서,상기 Pb이 도핑된 Cu2O 박막은 p형 반도체인 것을 특징으로 하는, Pb이 도핑된 Cu2O 박막
6 6
제 1 항에 있어서,상기 Pb이 도핑된 Cu2O 박막은 pH 8~12 및 온도 60℃~90℃에서 전착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는, Pb이 도핑된 Cu2O 박막
7 7
제 1 항, 제3항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 Pb이 도핑된 Cu2O 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 광전자소자
8 8
제 1 항, 제3항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 Pb이 도핑된 Cu2O 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.