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빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서,상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼들에서, 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 홀로그래픽 정보를 기록하고, 상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼들에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고,상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 광반응성 고분자 물질은 질소 간의 공유 결합 구조를 가지는 아조 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제3항에 있어서,상기 아조 고분자 물질은 아조벤젠 고분자 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제4항에 있어서,상기 아조벤젠 고분자 물질은 액정상 아조벤젠 물질을 고분자 매트릭스에 분산시킨 물질인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 광이성질체 분자구조들은 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조를 포함하고, 상기 기록 파장은 상기 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율과 상기 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제6항에 있어서,상기 기록 파장으로 상기 광을 연속적으로 조사하여 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 트랜스 이성질체 분자구조와 상기 시스 이성질체 분자구조 간에 반복적으로 전환시킴으로써 상기 광반응성 고분자 물질을 상기 광의 편광 방향과 수직한 방향으로 정렬시키는 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 기록 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율이 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광반응성 고분자 물질의 회절 효율보다 높은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제9항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 60 ~ 100 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제1항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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제11항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 5 ~ 15 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 방법
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빛에너지를 흡수하여 분자구조가 변화하는 광이성질화 특성을 가지는 광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 장치에 있어서,상기 홀로그래픽 기록매체에 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하되, 상기 홀로그래픽 기록매체의 광이성질체 분자구조들의 광 흡수스펙트럼들에서 최대 흡수 파장과 상이한 기록 파장으로 상기 광을 조사하여 상기 홀로그래픽 정보를 기록하는 광 조사부를 포함하고,상기 최대 흡수 파장은 상기 광 흡수스펙트럼들에서 광 흡수율이 최대가 되는 파장이고, 상기 기록 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이는 상기 최대 흡수 파장에서의 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율 차이 보다 작은 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제13항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제13항에 있어서,상기 광이성질체 분자구조들은 트랜스 이성질체 분자구조와 시스 이성질체 분자구조를 포함하고, 상기 기록 파장은 상기 트랜스 이성질체 분자구조의 광 흡수율과 상기 시스 이성질체 분자구조의 광 흡수율이 일치하는 파장인 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제13항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제16항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 최대 흡수 파장 보다 60 ~ 100 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제13항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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제18항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 광 흡수스펙트럼에서 상기 광이성질체 분자구조들의 광 흡수율이 일치하는 파장 보다 5 ~ 15 nm 큰 것을 특징으로 하는 홀로그래픽 기록 장치
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광반응성 고분자 물질을 포함하는 홀로그래픽 기록매체에 광을 조사하여 홀로그래픽 정보를 기록하는 홀로그래픽 기록 방법에 있어서,상기 광반응성 고분자 물질은 광에 의해 제1파장에서 최대 흡수율을 갖는 제1이성질체와 상기 제1파장보다 작은 제2파장에서 최대 흡수율을 갖는 제2이성질체간에 변하고,상기 방법은, 홀로그래픽 정보를 기록하기 위하여 상기 홀로그래픽 기록매체에 상기 제1파장과 상이한 기록 파장의 광을 조사하는 함을 포함하는 홀로그래픽 기록 방법
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제20항에 있어서,상기 기록 파장은 상기 제1광이성질체의 광 흡수율 및 상기 제2광이성질체의 광 흡수율이 일치하는 파장 또는 상기 제1파장보다 5~15nm 큰 파장인, 홀로그래픽 기록 방법
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