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하기 화학식의 소듐 (tert-뷰틸다이메틸실릴)옥시메테인설핀염(sodium (tert-butyldimethylsilyl)oxymethanesulfinate, TBSOMS-Na)를 출발물질로, 알킬, 아릴, 알케닐 또는 알키닐 화합물과 반응시켜, 알킬, 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입된 화합물을 제조하는 단계 1; 및 상기 알킬, 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입된 화합물을 알킬, 아릴, 아민 또는 플루오로 화합물과 반응시키는 단계 2;를 포함하는 설폰 유도체의 제조방법:[TBSOMS-Na]
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 아릴 또는 알케닐이 도입되는 경우, 전이금속 촉매 존재하에 반응을 진행하는 것을 특징으로 하는 설폰 유도체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 전이금속 촉매는 요오드화구리(CuI), 아세트산구리(I)(Cu(OAc)), 아세트산구리(II)(Cu(OAc)2), 구리 분말(Cu powder), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(Pd(PPh3)4), 팔라듐차콜(Pd-C), 비스트리페닐팔라듐디클로라이드 (PdCl2(PPh3)2), 트리스디벤질리덴아세톤팔라듐(Pd2(dba)3), 1,1-비스(디페닐포스피노페로센)디클로로팔라듐(PdCl2(dppf)),아릴팔라듐클로라이드디머([PdCl(allyl)]2), 디아세테이트팔라듐(Pd(OAc)2), 팔라듐디클로라이드(PdCl2) 및 디클로로트리스(트리페닐포스핀)루테늄(Ru(PPh3)3Cl2)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 전이금속 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 설폰 유도체의 제조방법
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4
제2항에 있어서,상기 전이금속 촉매는 아릴 또는 알케닐 화합물 1 eq에 대하여 0
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제1항에 있어서,상기 단계 2에서 아릴이 도입되는 경우, 전이금속 촉매 존재 하에 반응을 진행하는 것을 특징으로 하는 설폰 유도체의 제조방법
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6
제5항에 있어서,상기 전이금속 촉매는 요오드화구리(CuI), 아세트산구리(I)(Cu(OAc)), 아세트산구리(II)(Cu(OAc)2), 구리 분말(Cu powder), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(Pd(PPh3)4), 팔라듐차콜(Pd-C), 비스트리페닐팔라듐디클로라이드 (PdCl2(PPh3)2), 트리스디벤질리덴아세톤팔라듐(Pd2(dba)3), 1,1-비스(디페닐포스피노페로센)디클로로팔라듐(PdCl2(dppf)),아릴팔라듐클로라이드디머([PdCl(allyl)]2), 디아세테이트팔라듐(Pd(OAc)2), 팔라듐디클로라이드(PdCl2) 및 디클로로트리스(트리페닐포스핀)루테늄(Ru(PPh3)3Cl2)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 전이금속 촉매를 사용하는 것을 특징으로 하는 설폰 유도체의 제조방법
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7
제1항에 있어서,단계 1 및 단계 2에서 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입되는 경우, 하기 반응식 2에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 4 또는 화학식 6으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2a로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2a로 표시되는 화합물을 화학식 7로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1a로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 2] (상기 반응식 2에서,Ra 및 Ra'은 독립적으로 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고; Rb는 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고;La, La' 및 Lb는 단일결합이고;A3는 또는 이고;는 트리플레이트, 토실레이트, 트리플루오로아세테이트 또는 테트라플루오로보레이트이고; 및Xb1은 할로젠이다)
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8
제1항에 있어서,단계 1에서 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입되고, 단계 2에서 알킬이 도입되는 경우, 하기 반응식 3에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 4 또는 화학식 6으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2b로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2b로 표시되는 화합물을 화학식 8로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1b로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 3](상기 반응식 3에서,Ra 및 Ra'은 독립적으로 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고;Rb가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, Lb는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Rb가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, Lb는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고; 및La 및 La'은 단일결합이고; A3는 또는 이고;는 트리플레이트, 토실레이트, 트리플루오로아세테이트 또는 테트라플루오로보레이트이고; 및Xb2는 할로젠이다)
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제1항에 있어서,단계 1에서 알킬이 도입되고, 단계 2에서 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입되는 경우, 하기 반응식 4에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2c로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2c로 표시되는 화합물을 화학식 7로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1c로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 4](상기 반응식 4에서,Ra가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, La는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Ra가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, La는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고;Rb는 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고;Lb는 단일결합이고; 및Xb 및 Xb1은 독립적으로 할로젠이다)
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제1항에 있어서,단계 1 및 단계 2에서 알킬이 도입되는 경우, 하기 반응식 5에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2d로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2d로 표시되는 화합물을 화학식 8로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1d로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 5](상기 반응식 5에서,Ra가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, La는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Ra가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, La는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고; Rb가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, Lb는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Rb가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, Lb는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고; 및Xb 및 Xb2는 독립적으로 할로젠이다)
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제1항에 있어서,단계 1에서 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입되고, 단계 2에서 플루오로가 도입되는 경우, 하기 반응식 6에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 4로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2e로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2e로 표시되는 화합물을 화학식 9로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1e로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 6](상기 반응식 6에서,Ra 및 Ra'은 독립적으로 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고;Rb는 F이고;La, La' 및 Lb는 단일결합이고;A4는 또는 이고; 및는 트리플레이트, 토실레이트, 트리플루오로아세테이트 또는 테트라플루오로보레이트이다)
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제1항에 있어서,단계 1에서 알킬이 도입되고, 단계 2에서 플루오로가 도입되는 경우, 하기 반응식 7에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2f로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2f로 표시되는 화합물을 화학식 9로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1f로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 7](상기 반응식 7에서,Ra가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, La는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Ra가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, La는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고; Rb는 F이고;Lb는 단일결합이고;A4는 또는 이고; 및Xb는 할로젠이다)
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제1항에 있어서,단계 1에서 아릴, 알케닐 또는 알키닐이 도입되고, 단계 2에서 아민이 도입되는 경우, 하기 반응식 8에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 4로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2g로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2g로 표시되는 화합물을 화학식 10으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1g로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 8](상기 반응식 8에서,Ra 및 Ra'은 독립적으로 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐이고;Rb는 -NA1A2이고, 여기서 A1 및 A2는 독립적으로 수소; 비치환 또는 OH로 치환된 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐; C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐-C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬;이거나, A1 및 A2는 이들이 결합된 N과 연결되어, N, O, 및 S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 6 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬을 형성할 수 있고;La, La' 및 Lb는 단일결합이고; A5는 수소이고; 및는 트리플레이트, 토실레이트, 트리플루오로아세테이트 또는 테트라플루오로보레이트이다)
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제1항에 있어서,단계 1에서 알킬이 도입되고, 단계 2에서 아민이 도입되는 경우, 하기 반응식 9에 나타난 바와 같이,화학식 3으로 표시되는 TBSOMS-Na을 화학식 5로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 2h로 표시되는 화합물을 제조하는 단계(단계 1); 및단계 1에서 얻은 화학식 2h로 표시되는 화합물을 화학식 10으로 표시되는 화합물과 반응시켜 화학식 1h로 표시되는 설폰 유도체를 제조하는 단계(단계 2);를 포함하는 방법으로 제조할 수 있는 것을 특징으로 하는 제조방법:[반응식 9](상기 반응식 9에서,Ra가 수소; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐;일 때, La는 단일결합, C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고, Ra가 C6-14의 아릴, N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴, C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐 또는 C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐일 때, La는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬렌이고; Rb는 -NA1A2이고, 여기서 A1 및 A2는 독립적으로 수소; 비치환 또는 OH로 치환된 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬; C6-14의 아릴; C6-14의 아릴 카보닐; C3-10의 시클로알킬; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 5 내지 14 원자의 헤테로 아릴; N, O 및 S로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 3 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬; C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알케닐; C2-12의 직쇄 또는 분지쇄 알키닐; C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐; 또는 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알콕시 카보닐-C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬;이거나, A1 및 A2는 이들이 결합된 N과 연결되어, N, O, 및 S로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 헤테로 원자를 포함하는 6 내지 10 원자의 헤테로 시클로알킬을 형성할 수 있고;Lb는 단일결합이고;A5는 수소이고; 및Xb는 할로젠이다)
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