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금속 기재;상기 금속 기재 상에 형성된 M-ONC를 포함하는 중간층; 및상기 중간층 상에 형성된 M'-M''Ox를 포함하는 전극활성물질;을 포함하며, 상기 M은 Ti, Fe, Al, Nb, Ni, Cu, Ag 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하고, 상기 M' 및 M''은 각각 독립적으로 Sb, Sn, Ir, Ru, Ti, Pb 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하고, 상기 x는 0
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 기재는 Ti, Fe, Al, Nb, Ni, Cu, Ag 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 기재는 평판형, 관형, 그물형 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 형태인 것인, 전극
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제 1 항에 있어서, 상기 전극활성물질은 SbO2, SnO2, IrO2, RuO2, TiO2, PbO2 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속 산화물을 포함하는 것인, 전극
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요소(urea) 용액 내에서 금속 기재를 수열 처리하여 상기 금속 기재 상에 중간층을 형성하는 단계; 및전착 도장법을 이용하여 상기 중간층 상에 전극활성물질을 형성하는 단계;를 포함하는 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 금속 기재는 Ti, Fe, Al, Nb, Ni, Cu, Ag 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 전극의 제조 방법
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7
제 5 항에 있어서, 상기 중간층은 M-ONC를 포함하며, 상기 M은 Ti, Fe, Al, Nb, Ni, Cu, Ag 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 것인, 전극의 제조 방법
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8
제 5 항에 있어서, 상기 전극활성물질은 M'-M''Ox를 포함하며, 상기 M' 및 M''은 각각 독립적으로 Sb, Sn, Ir, Ru, Ti, Pb 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하고, 상기 x는 0
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제 5 항에 있어서, 상기 수열 처리는 100℃ 내지 300℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 수열 처리는 6 시간 내지 48 시간 동안 이루어지는 것인, 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 전착 도장법은 Sb, Sn, Ir, Ru, Ti, Pb 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 금속을 포함하는 용액 내에서 이루어지는 것인, 전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 전착 도장법은 5 분 내지 30 분 동안 이루어지는 것인, 전극의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 전극;을 포함하는 전기분해를 이용한 수처리 장치
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제 13 항에 있어서, 상기 수처리 장치는 난분해성 오염물질을 분해하는 것인, 수처리 장치
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15
제 13 항에 있어서, 상기 수처리 장치는 미생물을 살균하는 것인, 수처리 장치
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제 13 항에 있어서, 상기 수처리 장치는 정수기, 비데, 폐수처리 장치 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 장치에 응용될 수 있는 것인, 수처리 장치
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어는 한 항에 따른 전극;을 포함하는 살균 장치
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