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투명 음극 활물질층을 포함하는 투명 음극 박막, 리튬 박막 이차전지, 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2021007392
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 명세서에서는, 투명 음극 활물질층;을 포함하며, 상기 투명 음극 활물질층은 하기 [화학식 1]의 조성을 갖는 Si계 음극 활물질을 포함하는, 투명 음극 박막이 제공된다. [화학식 1] SiNx (x는 0003c#x≤1.5)
Int. CL H01M 4/136 (2010.01.01) H01M 4/58 (2015.01.01) H01M 4/1397 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 10/0585 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/136(2013.01) H01M 4/58(2013.01) H01M 4/1397(2013.01) H01M 4/0426(2013.01) H01M 10/052(2013.01) H01M 10/0585(2013.01) H01M 2004/027(2013.01)
출원번호/일자 1020190155785 (2019.11.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2021-0066489 (2021.06.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 서울특별시 성북구
2 김진상 서울특별시 성북구
3 강종윤 서울특별시 성북구
4 백승협 서울특별시 성북구
5 김성근 서울특별시 성북구
6 송현철 서울특별시 성북구
7 김상태 서울특별시 성북구
8 이현석 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1230715-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.05.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
투명 음극 활물질층;을 포함하며,상기 투명 음극 활물질층은 하기 [화학식 1]의 조성을 갖는 Si계 음극 활물질을 포함하는, 투명 음극 박막
2 2
제1항에 있어서,상기 x는 0003c#x≤1
3 3
제1항에 있어서,상기 x는 0
4 4
제1항에 있어서,상기 투명 음극 활물질층은 0
5 5
제1항에 있어서,상기 투명 음극 박막은 550 nm 파장 영역에서 80 % 이상의 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 투명 음극 박막을 포함하는, 리튬 박막 이차전지
7 7
투명 음극 활물질층을 증착시키는 단계;를 포함하며,상기 투명 음극 활물질층은 Si계 음극 활물질로서, 하기 [화학식 1]의 조성을 갖는, 투명 음극 박막 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 증착 단계는 가스 분위기 하에 Si 타겟을 증착시키는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막 제조 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 가스 분위기는 Ar 및 N2 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막 제조 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 가스 분위기는 N2/Ar 분위기이고,상기 N2/Ar 분위기의 비율은 0
11 11
제7항에 있어서,상기 증착 단계는 스퍼터링, 펄스 레이저 증착(PLD), 및 플라즈마화학기상증착(PECVD)으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막 제조 방법
12 12
제7항에 있어서,상기 증착 단계는 1 내지 30 mtorr 범위의 압력으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막 제조 방법
13 13
제7항에 있어서,상기 증착 단계는 1 내지 10 mtorr 범위의 압력으로 수행되는 것을 특징으로 하는, 투명 음극 박막 제조 방법
14 14
제7항에 있어서,상기 증착 단계는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.