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2차원 구조의 전이금속 칼코젠화물로 형성되는 광흡수층; 상기 광흡수층의 일면에 형성되는 제1전극층; 및상기 광흡수층의 타면에 형성되는 제2전극층;을 포함하고,상기 제2전극층은 상기 제1전극층과 다른 일함수 값을 가지는 물질로 형성됨으로써 상기 제1전극층과 상기 제2전극층의 일함수 차이에 따라 상기 광흡수층에 에너지 밴드 휘어짐(energy band bending)이 발생하고, 상기 광흡수층에 광이 조사될 경우에 발생된 전자와 정공이 각각 분해되어 추출되어 광전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1전극층 및 상기 광흡수층의 사이 또는 상기 광흡수층 및 상기 제2전극층의 사이에는 상기 광흡수층에서 광의 조사에 따라 생산된 전자 또는 정공을 추출하고 이동시키는 버퍼층이 형성되지 않는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 두께는 상기 제1전극층과 상기 광흡수층의 접합 및 상기 광흡수층과 상기 제2전극층의 접합에 따라 광흡수층의 에너지 밴드에 에너지 밴드 휘어짐 형성되도록 하는 두께인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제2전극층이 전사에 의해 상기 광흡수층 상에 형성됨으로써 상기 광흡수층과 상기 제2전극층의 접합에는 에너지 밴드에 있어서 에너지 배리어가 형성되지 않는 것인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 광흡수층의 두께는 200 nm 이하인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1전극층 또는 상기 제2전극층은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 주석(Sn), 인듐(In), 스칸듐(Sc), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 팔라둠(Pd), 백금(Pt) 및 그래핀으로 이루어진 군에서 선택되는 것으로 형성되는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제2전극층은 광이 조사되는 방향에 위치하는 것이며, 상기 제2전극층은 그래핀으로 형성되는 태양전지
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8
제1항에 있어서,상기 전이금속 칼코겐화물은 전이금속은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 텔루륨(Te), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 레늄(Re), 코발트(Co), 니켈(Ni), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 백금(Pt) 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합에서 선택되며, 칼코젠은 황(S), 셀레늄(Se), 및 텔루륨(Te) 중 적어도 어느 하나 또는 이들이 조합에서 선택되는 것인 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1전극층은 투명기판 상에 형성되는 태양전지
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제1전극층을 형성하는 단계; 상기 제1전극층의 상부에 2차원 구조의 전이금속 칼코겐화물을 전사하여 광흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 상에 그래핀을 전사하여 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 제2전극층은 상기 제1전극층과 다른 일함수 값을 가지는 물질로 형성됨으로써 상기 제1전극층과 상기 제2전극층의 일함수 차이에 따라 상기 광흡수층에 에너지 밴드 휘어짐(energy band bending)이 발생하고, 상기 광흡수층에 광이 조사될 경우에 발생된 전자와 정공이 각각 분해되어 추출되어 광전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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