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탄소담체에 담지된 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 적어도 한 종 이상 포함하고, N, S 또는 P 도펀트를 적어도 한 종 이상 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물 촉매결정입자에 포함된 금속은 주기율표 상의 3d-block 금속(Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn), 4d-block 금속(Y, Zr, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd), 5d-block 금속(La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt, Au, Hg), 6d-block 금속(Ac, Rf, Db, Sg, Bh, Hs, Mt, Ds, Rg, Cn)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 또는 그 이상의 조합인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항에 있어서,상기 촉매결정입자는 직경이 0
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제 1 항에 있어서,상기 탄소 100중량부 대비 상기 촉매결정입자는 0
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제 1 항에 있어서,상기 탄소담체는 미세기공(micropore)과 중형기공(mesopore)이 혼재된 다중다공성(hierarchical porosity)의 구조인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소담체는 직경이 10 nm 내지 10 mm인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소담체는, 탄소 100중량부 대비 상기 도펀트를 0
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매;상기 촉매가 코팅되는 기판; 및상기 촉매와 기판 사이에 개재되어 코팅 접착력을 증가시키는 바인더;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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제 8 항에 있어서,상기 기판 100중량부 대비 상기 촉매 0
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제 8 항에 있어서, 상기 바인더는 불용성 고분자인, 전기적 펜톤 반응 시스템용 전극
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제 8 항에 따른 전극; 및전해질 수용액;을 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템
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제 11 항에 있어서,상기 전해질 수용액의 pH는 3 내지 10이고, 2W 이하의 전력이 입력되어 전기적 펜톤 반응이 일어나는, 전기적 펜톤 반응 시스템
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제 11 항에 있어서,전기적 펜톤 반응은,(1) H2O2의 균형 분해(homolytic H2O2 scission)반응에 의해 ㆍOH종이 형성되는 단계;(2) 상기 ㆍOH 종에 의해 난분해성 유기물이 분해되는 단계;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템
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탄소담체에 담지된 d0 오비탈 기반 전이금속 산화물 촉매결정입자를 제조하는 방법에 있어서,금속-유기 골격체를 비활성 분위기 하에서 열분해하는 단계; 및기공을 가지는 탄소담체가 형성되고, 상기 탄소담체 내 전이금속 표면종이 분산되는 단계;를 포함하는,전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 금속-유기 골격체는 질소(N), 황(S) 또는 인(P)을 포함하는, 전기적 펜톤 반응 시스템용 촉매 제조방법
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