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인가되는 제1입력전기신호를 수신하여 광을 방사할 수 있는 제1광원;상기 제1광원으로부터 방사된 후 제1광경로를 경유하여 도달하는 광의 적어도 일부를 흡수하여 제1출력전기신호로 변환하는 제1광검출기; 및상기 제1출력전기신호와 제1기준전기신호를 비교하여 상기 제1입력전기신호의 출력값을 제어하여 상기 제1출력전기신호의 크기를 제어하는 제어부를 포함하는 광검출기 신호처리회로
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제1항에 있어서,상기 제어부는 제1피드백 회로부를 포함하며,상기 제1피드백 회로부는상기 제1출력전기신호와 상기 제1기준전기신호를 비교하는 제1비교부; 및상기 제1비교부의 비교 결과를 통해 상기 제1기준전기신호의 크기 대비 상기 제1출력전기신호의 상기 크기의 차이-이하 제1편차라 함-를 판별하고 상기 제1편차의 크기에 따라 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 조절하는 제1입력전기신호 제어부를 포함하는 광검출 신호처리회로
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제1항에 있어서,인가되는 제2입력전기신호를 수신하여 광을 방사할 수 있는 제2광원; 및상기 제2광원으로부터 방사된 후 제2광경로를 경유하여 도달하는 광의 적어도 일부를 흡수하여 제2출력전기신호로 변환하는 제2광검출기를 더 포함하되,상기 제2출력전기신호는 상기 제1기준전기신호로 작용하며,상기 제어부는 상기 제1출력전기신호와 상기 제2출력전기신호를 비교하여 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 제어하여 상기 제1출력전기신호의 상기 크기를 제어하는 광검출기 신호처리회로
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제3항에 있어서,상기 제1광검출기는 실리콘 광배전관(silicon photomultiplier, SiPM)을 포함하며,상기 제2광검출기는 실리콘 광배전관(silicon photomultiplier, SiPM)을 포함하는 광검출기 신호처리회로
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5
제3항에 있어서,상기 제어부는 제1피드백 회로부를 포함하며,상기 제1피드백 회로부는상기 제1출력전기신호와 상기 제2출력전기신호를 비교하는 제1비교부; 및상기 제1비교부의 비교 결과를 통해 상기 제2출력전기신호의 크기 대비 상기 제1출력전기신호의 상기 크기의 차이-이하 제2편차라 함-를 판별하고 상기 제2편차의 크기에 따라 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 조절하는 제1입력전기신호 제어부를 포함하는 광검출 신호처리회로
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제3항에 있어서,상기 제1광원 및 상기 제2광원은 동일한 특성의 광을 방사하며,상기 제1광검출기 및 상기 제2광검출기는 전기적 특성이 동일하며, 상기 제1광검출기 및 상기 제2광검출기 각각의 양단에는 동일한 동작전압이 인가되며,상기 제1광경로 및 상기 제2광경로는 서로 일치하는 경로를 가지며,상기 제어부는 상기 제1출력전기신호의 상기 크기가 상기 제2출력전기신호의 크기와 동일하게 되도록 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 제어하는 광검출기 신호처리회로
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7
제3항에 있어서,상기 제어부는 상기 제2출력전기신호와 제2기준전기신호를 비교하여 상기 제1광검출기 및 상기 제2광검출기 각각에 인가하는 바이어스 전압을 제어하는 광검출기 신호처리회로
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8
제7항에 있어서,상기 제어부는 상기 제2출력전기신호와 상기 제2기준전기신호를 비교하여 온도 변화에 관계없이 상기 제2출력전기신호가 일정한 값을 가지도록 상기 바이어스 전압을 제어하는 광검출기 신호처리회로
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9
제7항에 있어서,상기 제어부는 제1피드백 회로부 및 제2피드백 회로부를 포함하며,상기 제1피드백 회로부는상기 제1출력전기신호와 상기 제2출력전기신호를 비교하는 제1비교부; 및상기 제1비교부의 비교 결과를 통해 상기 제2출력전기신호의 크기 대비 상기 제1출력전기신호의 상기 크기의 차이-이하 제2편차라 함-를 판별하고 상기 제2편차의 크기에 따라 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 조절하는 제1입력전기신호 제어부를 포함하며,상기 제2피드백 회로부는상기 제2출력전기신호와 상기 제2기준전기신호를 비교하는 제2비교부; 및상기 제2비교부의 비교 결과를 통해 상기 제2기준전기신호의 크기 대비 상기 제2출력전기신호의 상기 크기의 차이-이하 제3편차라 함-를 판별하고 상기 제3편차의 크기에 따라 상기 바이어스 전압을 조절하는 바이어스 전압 제어부를 포함하는 광검출 신호처리회로
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10
제7항에 있어서,상기 제1광원 및 상기 제2광원은 동일한 특성의 광을 방사하며,상기 제1광검출기 및 상기 제2광검출기는 전기적 특성이 동일하며,상기 제1광경로 및 상기 제2광경로는 서로 일치하는 경로를 가지며,상기 제어부는 상기 바이어스 전압을 제어함으로써 상기 제1광검출기 및 상기 제2광검출기 각각에 인가되는 상기 동작전압의 크기를 동일하게 제어하는 광검출기 신호처리회로
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11
제10항에 있어서,상기 제1광검출기는 실리콘 광배전관(silicon photomultiplier, SiPM)을 포함하며,상기 제2광검출기는 실리콘 광배전관(silicon photomultiplier, SiPM)을 포함하며,상기 제어부는 상기 제1출력전기신호의 상기 크기가 상기 제2출력전기신호의 크기와 동일하게 되도록 상기 제1입력전기신호의 상기 출력값을 제어하며,상기 제어부는 상기 제2출력전기신호와 상기 제2기준전기신호를 비교하여 온도 변화에 관계없이 상기 제2출력전기신호가 일정한 값을 가지도록 상기 바이어스 전압을 제어하는 광검출기 신호처리회로
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12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1광경로 상에 마련되어 상기 제1광원이 방사하는 상기 광의 적어도 일부를 흡수하는 광흡수 대상체를 더 포함하며,상기 제어부는 상기 제1입력전기신호의 상기 크기로부터 상기 광흡수 대상체의 흡광도를 측정하는 광검출기 신호처리회로
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