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상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법에 있어서, (1) 플라즈마 표면처리시스템을 사용하여 단일벽 탄소나노튜브를 플라즈마 처리하는 단계; (2) 상기 (1) 단계에서 플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 유기용매를 이용하여 에폭시수지와 혼합하는 단계; (3) 상기 (2) 단계에서 제조된 혼합물을 안정화하는 단계; (4) 상기 (3) 단계에서 제조된 혼합물에 경화제로서 4,4'-메틸렌다이아닐린(4,4’-diaminodiphenylmethane)을 첨가하는 단계; (5) 상기 (4) 단계에서 제조된 혼합물을 진공오븐에서 안정화하는 단계; 및(6) 상기 (5) 단계에서 제조된 단일벽 탄소나노튜브, 에폭시수지 및 4,4'-메틸렌다이아닐린을 포함하는 혼합물을 부직포에 함침하여 경화하는 단계를 포함하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (1) 단계에서, 상기 플라즈마 표면처리시스템의 상압플라즈마 전력량은 10W 내지 500W이고, 플라즈마 처리 시간은 1분 내지 10분인 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (2) 단계는, 상기 유기용매 150ml 내지 250ml에, 상기 플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 10g 내지 30g로 넣은 뒤, 10℃ 내지 100℃ 온도범위에서 1시간 내지 10시간 동안 초음파처리를 진행한 이후, 상기 에폭시수지를 넣어 30℃ 내지 120℃의 온도범위에서 1시간 내지 10시간 동안 교반하는 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (3) 단계는, 상기 혼합물을 100℃ 내지 200℃의 온도범위에서 4시간 내지 12시간 동안 처리하여 유기용매를 제거하는 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (4) 단계에서, 상기 혼합물과 상기 경화제의 중량비는 1:0
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제 1 항에 있어서, 상기 (5) 단계에서, 10℃ 내지 100℃의 온도로 하여 1시간 내지 10시간 동안 진공오븐에서 기포를 제거하여 안정화하는 단계인 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (6) 단계에서, 상기 경화하는 단계는, 핫프레스상에서 50℃에서 100℃ 온도 범위에서 1시간 내지 2시간 동안 처리하는 1단계; 100℃ 내지 150℃의 온도 범위에서 1시간 내지 2시간 동안 처리하는 2단계; 및 150℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 1시간 내지 2시간 동안 처리하는 3단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 (6) 단계에서 상기 부직포는 폴리프로필렌(Polypropylene), 폴리에스터(Polyester) 및 폴리에틸렌(Polyethylene)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 상압플라즈마 처리된 단일벽 탄소나노튜브를 이용한 부직포 및 에폭시 기반 전자파 차폐재 제조방법
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