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정전압원(Vcc)과 직렬로 연결되어 전류를 조절하는 가변 정전류원(Ivar);상기 가변 정전류원(Ivar)과 직렬로 연결되는 반도체형 가스센서의 센서 저항(Rsensor);상기 센서 저항(Rsensor)에 병렬로 연결되는 병렬 저항(Rparallel);상기 센서 저항(Rsensor)의 양단에서 센서 전압(Vsensor)을 검출하여 에이디 변환하는 에이디 변환부(ADC); 및상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 지정된 값으로 설정한 상태에서 센서 전압(Vsensor)을 측정하고, 이에 기초하여 센서 저항(Rsensor) 값을 산출하고, 미리 설정된 측정 저항 구간 중 상기 산출한 센서 저항(Rsensor) 값이 해당하는 구간에 대응하여 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 조정하는 마이크로프로세서;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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제 1항에 있어서, 상기 가변 정전류원(Ivar)은,상기 마이크로프로세서에 의해 전류가 조정되며, 선형적으로 전류가 조정되는 것이 아니라, 단계적으로 전류가 조정되어 일정하게 유지되는 전류원인 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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제 1항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는,이미 알고 있는 상기 병렬저항(Rparallel) 값 및 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류(Isensing) 값과 수학식 5를 이용해, 상기 센서 저항(Rsensor)을 산출하는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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제 1항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는,센서 저항(Rsensor) 값을 산출하는 초기에는 센서 저항(Rsensor) 값이 최대 측정 저항 구간에 있는 것으로 가정하여, 상기 가변 정전류원(Ivar)의 최초 전류 값을 최소 전류로 설정하고, 상기 산출한 센서 저항(Rsensor) 값이 해당하는 측정 저항 구간에 대응하여, 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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제 1항에 있어서, 상기 병렬 저항(Rparallel)은,상기 마이크로프로세서에서 ADC 할 수 있는 최대 전압에 상기 가변 전류원이 출력할 수 있는 최소 전류를 나눈 값(R=V/I)으로 결정되는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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제 1항에 있어서, 상기 센서 저항(Rsensor) 값의 측정 저항 구간의 경계마다 히스테리시스 구간이 추가되는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 장치
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마이크로프로세서가 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 지정된 값으로 설정한 상태에서 센서 전압(Vsensor)을 측정하는 단계;상기 마이크로프로세서가 상기 측정한 센서 전압(Vsensor)에 기초하여 반도체형 가스센서의 센서 저항(Rsensor)을 산출하는 단계; 및미리 설정된 측정 저항 구간 중 상기 산출한 센서 저항(Rsensor) 값이 해당하는 구간에 대응하여, 상기 마이크로프로세서가 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 조정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 가변 정전류원(Ivar)은,상기 마이크로프로세서에 의해 전류가 조정되며, 선형적으로 전류가 조정되는 것이 아니라, 단계적으로 전류가 조정되어 일정하게 유지되는 전류원인 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 센서 저항(Rsensor)을 산출하는 단계에서,상기 마이크로프로세서는,이미 알고 있는 병렬저항(Rparallel) 값 및 가변 정전류원(Ivar)의 전류(Isensing) 값과 수학식 5를 이용해, 상기 센서 저항(Rsensor)을 산출하는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 조정하는 단계에서,상기 마이크로프로세서는,센서 저항(Rsensor) 값을 산출하는 초기에는 센서 저항(Rsensor) 값이 최대 측정 저항 구간에 있는 것으로 가정하여, 상기 가변 정전류원(Ivar)의 최초 전류 값을 최소 전류로 설정하고, 상기 산출한 센서 저항(Rsensor) 값이 해당하는 측정 저항 구간에 대응하여, 상기 가변 정전류원(Ivar)의 전류 값을 단계적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 병렬 저항(Rparallel)은,상기 마이크로프로세서에서 ADC 할 수 있는 최대 전압에 상기 가변 전류원이 출력할 수 있는 최소 전류를 나눈 값(R=V/I)으로 결정되는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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제 7항에 있어서, 상기 센서 저항(Rsensor) 값의 측정 저항 구간의 경계마다 히스테리시스 구간이 추가되는 것을 특징으로 하는 가변 정전류원을 이용한 반도체형 가스센서의 저항 측정 방법
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