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실리콘 기판 상부에 제1 절연막을 형성하는 단계;상기 제1 절연막 상부에 가열 전극 패턴 및 상기 가열 전극 패턴에 전원을 인가하기 위한 가열 전극 패드를 형성하는 단계;상기 가열 전극 패턴을 감싸며, 상기 제1 절연막 상부에 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막 상부에 상호 이격되는 복수 개의 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴을 일정한 간격으로 형성하고, 상기 복수 개의 제1 감지 전극 패턴에서 연장되어 복수 개의 감지 전극 패드를 형성하며, 상기 복수 개의 제2 감지 전극 패턴과 연결되는 접지 전극 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 절연막 상부의 상기 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴의 상호 이격된 영역에, 상기 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴을 감싸며 복수 개의 감지물질을 도포하는 단계; 및상기 가열 전극 패턴이 형성된 영역의 실리콘 기판을 제거하여 멤브레인(Membrane)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지며,상기 감지물질의 도포는, 나노 와이어(Nano Wire) 또는 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube : CNT)의 형태로 이루어진 감지물질에 유기 비이클을 혼합하여 페이스트를 형성한 후, 상기 페이스트를 상기 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴의 상호 이격된 영역에 도포하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제1 절연막은 저압화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition : LPCVD)법으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 가열 전극 패턴은 Pt, Poly-Si, RuO2 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 감지물질은 산화 주석(SnO2), 산화 텅스텐(WO3), 산화 아연(ZnO), 산화 인듐(In2O3), 산화 티타늄(TiO2) 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 모재(母材)에 Pt, Pd, In, Al 중에서 선택된 어느 하나의 물질로 이루어지는 첨가제를 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 감지물질의 도포는 잉크젯 프린팅(Ink Jet Printing) 방식, 디스펜싱(Dispensing) 방식 및 스크린 프린팅(Screen Printing) 방식 중에서 선택된 어느 하나의 방식으로 도포하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 감지물질을 상기 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴의 상호 이격된 영역에 도포하기 전에,상기 제1 감지 전극 패턴및 제2 감지 전극 패턴을 감싸며 제2 절연막 상부에 절연층을 형성하는 단계; 및상기 제1 감지 전극 패턴 및 제2 감지 전극 패턴이 상호 이격된 영역에 형성된 절연층을 제거하여 윈도우(Window)를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 실리콘 기판의 제거는, Deep - RIE(Reactive Ion Etching)법으로 상기 실리콘 기판을 식각하여 제거하는 것을 특징으로 하는 마이크로 가스 센서 어레이의 제조방법
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