맞춤기술찾기

이전대상기술

무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014002868
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 고집적 반도체 칩 또는 디스플레이 회로검사에 사용되는 MEMS 프로브카드용 고경도 탐침구조물의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명의 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법은 탐침구조물을 형성하는 제1단계; 및 형성한 상기 탐침구조물을 무전해도금하는 제2단계를 포함한다.탐침구조물, 무전해도금, 프로브카드, MEMS
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 3/00(2013.01) G01R 3/00(2013.01) G01R 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020060095970 (2006.09.29)
출원인 전자부품연구원, 주식회사 코셈
등록번호/일자 10-0842395-0000 (2008.06.24)
공개번호/일자 10-2008-0030204 (2008.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20080701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.29)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 코셈 대한민국 경기도 안양시 동안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이철호 대한민국 서울 구로구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 주식회사 코셈 대한민국 경기도 안양시 동안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2006-0716479-04
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0306041-41
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0534532-47
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0534530-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0583371-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0846374-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0846379-31
8 등록결정서
Decision to grant
2008.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0179816-17
9 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0445265-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.10 수리 (Accepted) 4-1-2009-5068443-84
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 기판상에 감광제를 코팅하는 단계;상기 감광제상에 탐침구조물의 패턴을 형성하는 단계;상기 탐침구조물의 패턴에 도금하는 단계;상기 감광제를 제거하는 단계;상기 탐침구조물을 상기 전도성 기판으로부터 분리하여 상기 탐침구조물을 형성하는 단계; 및형성된 상기 탐침구조물을 무전해도금하는 단계를 포함하는 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 무전해도금의 소재는 Ni-P, Ni-B, Ni-W-P 및 Ni-W-B 중 어느 하나인 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 2항에 있어서,상기 탐침구조물의 패턴에 도금하는 단계에서의 상기 도금의 소재는 Ni-W, Ni-Fe, Ni-Co 및 Ni-Mn 중 어느 하나인 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법
5 5
형성할 탐침구조물의 소재와 동일한 소재의 금속판을 준비하는 단계;상기 금속판상에 감광제를 코팅하는 단계;상기 감광제상에 상기 탐침구조물의 패턴을 형성하는 단계;상기 탐침구조물의 패턴을 이용하여 상기 금속판을 에칭하여 상기 탐침구조물을 형성하는 단계; 및형성된 상기 탐침구조물을 무전해도금하는 단계를 포함하는 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 무전해도금의 소재는 Ni-P, Ni-B, Ni-W-P 및 Ni-W-B 중 어느 하나인 무전해도금법을 이용한 프로브카드용 탐침구조물 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.