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기판과; 상기 기판 상부에 형성된 클래드층과; 상기 클래드층 내부에 개재되어 있는 코어층과; 상기 코어층으로 입사되는 광 중 특정 파장을 중심으로 일정 대역의 광을 반사시키고 나머지 광은 통과시키도록, 상기 코어층에 형성되어 있는 브래그 격자패턴으로 구성되며, 상기 코어층은 복수개로 분기되어 있고, 상기 브래그 격자패턴이 상기 분기된 코어층 영역 각각에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고,상기 클래드층은 고밀화된 실리카막이고, 상기 코어층은 게르마늄 산화막인 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩
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제 1 항에 있어서,상기 분기된 코어층 영역 각각에 형성되어 있는 브래그 격자패턴 각각은 격자주기가 다른 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩
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제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 코어층은 상기 기판의 일측에서 타측으로 형성되어 있고, 상기 코어층의 일측에는 광섬유가 광 정렬되어 있는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩
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실리콘 기판 상부에 실리카막(SiO2)을 형성하는 단계와;상기 실리카막 상부에 게르마늄 산화막(GeO2)을 형성하는 단계와;상기 실리카막과 게르마늄 산화막에 고밀화(Consolidation) 공정을 수행하는 단계와;상기 고밀화된 게르마늄 산화막의 일부를 제거하여 코어층을 형성하는 단계와; 상기 코어층 상부에 격자패턴이 형성되어 있는 위상마스크를 위치시키고, 상기 위상마스크를 통하여 상기 코어층을 노광시켜, 상기 코어층에 브래그 격자패턴을 형성시키는 단계와;상기 코어층을 감싸며, 상기 고밀화된 실리카막 상부에 클래드층을 형성하는 단계로 구성되며,상기 코어층은 복수개로 분기되어 있는 코어층이고,상기 코어층에 브래그 격자패턴을 형성시키는 공정으로 상기 각 분기된 코어층 영역에 브래그 격자패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 코어층을 형성하는 공정은, 상기 고밀화된 게르마늄 산화막 상부 일부에 마스크층을 형성하고, 상기 고밀화된 게르마늄 산화막을 식각하여 코어층을 형성하는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 코어층을 형성하는 공정은, 상기 고밀화된 게르마늄 산화막 상부에 알루미늄층과 포토레지스트막을 순차적으로 형성하고,Cr마스크로 마스킹하여, 상기 포토레지스트막을 노광시키고,상기 노광된 포토레지스트막 영역을 식각하고,상기 노광되지 않은 포토레지스트막으로 마스킹하여, 상기 알루미늄층과 고밀화된 게르마늄 산화막을 식각하고,상기 포토레지스트막과 알루미늄층을 제거하여 코어층을 형성하는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 분기된 코어층 영역 각각에 형성되어 있는 브래그 격자패턴 각각은 격자주기가 다른 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 실리카막은,화염 가수분해 증착(Flame Hydrolysis Deposition, FHD) 장비 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD)장비를 사용하여 실리카를 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 브래그 격자를 이용한 광센서 칩의 제조 방법
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