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넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014002943
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법에 관한 것으로, 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(metal semiconductor field effect transistor: MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor: HEMT) 등의 초고주파 및 밀리미터파용 반도체 소자 제조에 있어서, 게이트 다리 패턴용 유전체에 게이트 머리를 지지하는 지지용 축을 형성하여 게이트 다리를 중심으로 양쪽으로 게이트 머리를 받침으로써 게이트 머리가 지지되도록 한 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법이다.본 발명에 따른 지지용 축을 사용한 중앙에 칩(10)이 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법에 의하면, 유전체를 사용한 미세한 크기의 게이트 길이를 가지면서도 넓은 게이트 머리를 갖게 하여 게이트의 단면적을 크게 함으로써 기생 정전 용량에 의한 반도체 소자 특성 저하를 방지할 수 있는 효과가 있으며, 또한 종래의 게이트 제조 방법에서 패턴만 추가하였기 때문에 제조 방법의 변화가 없으면서도 소자의 특성이 저하되지 않은 안정적인 게이트를 제조할 수 있고, 게이트의 신뢰성 및 재현성이 향상되는 효과가 있다. 반도체 소자, 초고주파 단일칩 집적회로, 게이트, 넓은 폭의 게이트 머리.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/7455(2013.01) H01L 29/7455(2013.01) H01L 29/7455(2013.01) H01L 29/7455(2013.01) H01L 29/7455(2013.01) H01L 29/7455(2013.01)
출원번호/일자 1020040077420 (2004.09.24)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0703998-0000 (2007.03.29)
공개번호/일자 10-2006-0028315 (2006.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070404) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.13)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임병옥 대한민국 서울특별시 강북구
2 김성찬 대한민국 서울특별시 동작구
3 백태종 대한민국 서울 관악구
4 이진구 대한민국 서울특별시 도봉구
5 신동훈 대한민국 경기도 고양시 일산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영두 대한민국 서울특별시 광진구 아차산로 ***, 민도빌딩 ***호 (구의동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2004-0440472-65
2 출원심사청구서
Request for Examination
2005.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2005-0509751-84
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-5099978-65
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065535-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0661566-46
7 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-5100719-70
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-5002315-07
9 의견서
Written Opinion
2007.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2007-5002316-42
10 등록결정서
Decision to grant
2007.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0144583-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
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번호 청구항
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삭제
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에피층(12)의 형성된 반도체 기판(11) 위에 초고주파 반도체 소자의 소스 전극 및 드레인 전극용 오믹 금속층(13)을 형성하는 제 1단계; 유전체(14) 적층 후 식각 공정을 이용하여 게이트 다리 패턴(15)을 형성하는 제 2단계; 3층 구조의 선택도가 다른 양성 레지스트(16)(17)(18)를 도포하는 제 3단계; 1차 노광 후 현상 공정으로 게이트 머리 패턴을 형성하는 제 4단계; 2차 노광 및 현상 과정을 통하여 게이트 머리 지지용 축 패턴(19)을 형성하고 게이트 다리 패턴 부근의 레지스트를 제거하는 제 5단계; 게이트 금속(20) 및 지지용 축(21) 금속 증착 후 레지스트를 제거하는 제 6단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 4단계의 지지용 축 패턴 형성에 있어서, 게이트 다리를 중심으로 양옆으로 동일한 게이트 다리 패턴을 사용하는 것을 특징으로 하는 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 4단계의 지지용 축 패턴 형성에 있어서, 게이트 다리를 중심으로 양옆으로 동일한 게이트 다리 패턴을 사용하는 것을 특징으로 하는 넓은 머리를 갖는 게이트의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.