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반도체 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상에 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층 상에 스핀 코팅이 가능한 유전체로 스핀 코팅을 실시하여 상기 반도체층의 활성 영역을 덮는 스핀 코팅층을 형성하는 단계;상기 반도체층 및 상기 스핀 코팅층 상에 복수의 전극을 형성하는 단계; 및상기 반도체층, 상기 복수의 전극 및 상기 스핀 코팅층 상에 절연 물질을 스핀 코팅하여 패시베이션층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 스핀 코팅층을 형성하는 단계에서는상기 반도체층 상에 유전체를 도포하는 단계;상기 유전체를 스핀 코팅하는 단계;스핀 코팅된 상기 유전체를 경화하는 단계; 및스핀 코팅된 상기 유전체를 식각하여 상기 반도체층의 활성 영역을 덮는 상기 스핀 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 스핀 코팅층은 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane) 또는 벤조사이클로부테인(benzocyclobutene)을 포함하는 SOD(Spin on Dielectric) 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 스핀 코팅층은 경화 공정을 통해 상기 SOD 물질이 산화규소 물질로 변환되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 반도체층은 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화인듐(InN), 갈륨비소(GaAs), 인화갈륨(GaP), 알루미늄비소(AlAs), 안티몬화알루미늄(AlSb), 인화알루미늄(AlP), 안티몬화갈륨(GaSb), 안티몬화인듐(InSb), 산화아연(ZnO), 탄화규소(SiC), 규소(Si) 및 탄소(C)를 포함하는 군으로부터 하나 이상 또는 그 화합물들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조 방법
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