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자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 키퍼층을 가진 워드선제조방법

  • 기술번호 : KST2014003585
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 키퍼층을 가진 워드선 제조방법에 관한 것이다. 특히, 자기 메모리 및 센서에서 자화를 반전시키는데 필요한 자기장을 발생시키는 키퍼층을 가진 워드선(또는 비트선) 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 자기장 키퍼층을 갖는 워드선 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 광식각 공정을 이용하여 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계와; 상기 트렌치의 내외측 전표면에 물리적 기상증착법을 이용하여 Co-P 합금, Co-B 합금, Co-Si 합금, Co-Nb 합금, Co-Ta 합금, Co-Mo 합금, Co-Cu 합금, Co-W 합금 중에 임의로 선택되는 어느 하나의 층으로 자기장 키퍼(keeper)층을 형성하여 장벽층 역할을 병행하도록 하는 단계와; 상기 키퍼층 상부의 전면에 구리(Cu) 재질의 시드(seed)층을 증착하는 단계와; 상기 시드층 상에 트렌치를 충분히 덮을 수 있을 정도 두께로 구리(Cu) 재질의 도전층을 전기도금 방식으로 증착하는 단계와; 상기 절연층의 상부 표면이 노출될때 까지 CMP 공정을 이용하여 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 워드선 제조방법을 제시한다.따라서, 본 발명에 의하면, 1) 연자성 특성이 비교적 우수하여 자기장 키퍼의 역할을 함과 동시에 장벽층으로서도 우수한 특성을 가지고 있는 주로 Co로 구성된 자성층을 제공하며; 2) 상기의 자기장 키퍼층을 가진 워드선/비트선에 대하여 자화 반전에 필요한 자기장이 최대가 되도록 워드선/비트선에 대한 최적의 형상을 제공한다.자기메모리, 키퍼층, 센서, 워드선, 비트선, 자화반전, 종횡비
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020010075409 (2001.11.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0462791-0000 (2004.12.10)
공개번호/일자 10-2003-0044596 (2003.06.09) 문서열기
공고번호/일자 (20041220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 서울특별시노원구
2 박영준 대한민국 서울특별시관악구
3 한석희 대한민국 서울특별시노원구
4 이우영 대한민국 서울특별시 성북구
5 신경호 대한민국 서울특별시노원구
6 김경숙 대한민국 경기도성남시중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2001-0316213-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066828-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.10.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0052214-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0504341-84
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0057894-34
8 의견서
Written Opinion
2004.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0057893-99
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0336470-58
10 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2004.10.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2004-0014645-26
11 등록결정서
Decision to grant
2004.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0492637-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 자기장 키퍼층을 갖는 워드선 제조방법에 있어서,

반도체 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와;

상기 절연층에 광식각 공정을 이용하여 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계와;

상기 트렌치의 내외측 전표면에 물리적 기상증착법을 이용하여 Co-P 합금, Co-B 합금, Co-Si 합금, Co-Nb 합금, Co-Ta 합금, Co-Mo 합금, Co-Cu 합금, Co-W 합금 중에 임의로 선택되는 어느 하나의 층으로 자기장 키퍼(keeper)층을 형성하여 장벽층 역할을 병행하도록 하는 단계와;

상기 키퍼층 상부의 전면에 구리(Cu) 재질의 시드(seed)층을 증착하는 단계와;

상기 시드층 상에 트렌치를 충분히 덮을 수 있을 정도 두께로 구리(Cu) 재질의 도전층을 전기도금 방식으로 증착하는 단계와;

상기 절연층의 상부 표면이 노출될때 까지 CMP 공정을 이용하여 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 워드선 제조방법

2 2

삭제

3 3

청구항 1에 있어서, 상기 워드선의 최적 형상 종횡비는 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.