요약 | 본 발명은 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 키퍼층을 가진 워드선 제조방법에 관한 것이다. 특히, 자기 메모리 및 센서에서 자화를 반전시키는데 필요한 자기장을 발생시키는 키퍼층을 가진 워드선(또는 비트선) 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 자기장 키퍼층을 갖는 워드선 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 절연층에 광식각 공정을 이용하여 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계와; 상기 트렌치의 내외측 전표면에 물리적 기상증착법을 이용하여 Co-P 합금, Co-B 합금, Co-Si 합금, Co-Nb 합금, Co-Ta 합금, Co-Mo 합금, Co-Cu 합금, Co-W 합금 중에 임의로 선택되는 어느 하나의 층으로 자기장 키퍼(keeper)층을 형성하여 장벽층 역할을 병행하도록 하는 단계와; 상기 키퍼층 상부의 전면에 구리(Cu) 재질의 시드(seed)층을 증착하는 단계와; 상기 시드층 상에 트렌치를 충분히 덮을 수 있을 정도 두께로 구리(Cu) 재질의 도전층을 전기도금 방식으로 증착하는 단계와; 상기 절연층의 상부 표면이 노출될때 까지 CMP 공정을 이용하여 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 워드선 제조방법을 제시한다.따라서, 본 발명에 의하면, 1) 연자성 특성이 비교적 우수하여 자기장 키퍼의 역할을 함과 동시에 장벽층으로서도 우수한 특성을 가지고 있는 주로 Co로 구성된 자성층을 제공하며; 2) 상기의 자기장 키퍼층을 가진 워드선/비트선에 대하여 자화 반전에 필요한 자기장이 최대가 되도록 워드선/비트선에 대한 최적의 형상을 제공한다.자기메모리, 키퍼층, 센서, 워드선, 비트선, 자화반전, 종횡비 |
---|---|
Int. CL | G11C 11/15 (2006.01) |
CPC | H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020010075409 (2001.11.30) |
출원인 | 한국과학기술연구원 |
등록번호/일자 | 10-0462791-0000 (2004.12.10) |
공개번호/일자 | 10-2003-0044596 (2003.06.09) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20041220) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | 심판사항 |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2001.11.30) |
심사청구항수 | 2 |