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자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014049307
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기터널접합 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 자기터널접합 디바이스는 i) (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제1 자성층, ii) 제1 자성층 위에 위치하는 절연층, 및 iii) 절연층 위에 위치하고, (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제2 자성층을 포함한다. 제1 자성층 및 제2 자성층은 수직자기 이방성을 가지고, A 및 상기 B는 각각 금속 원소이며, C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소이다.자기터널접합 디바이스, 수직자기 이방성, 비정질
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01) H01L 43/10(2013.01)
출원번호/일자 1020090077492 (2009.08.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1115039-0000 (2012.02.03)
공개번호/일자 10-2011-0019886 (2011.03.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120307) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.21)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경민 대한민국 서울특별시 성북구
2 민병철 대한민국 경기도 광명시 디지털로 **,
3 신경호 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0511858-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0003930-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0077154-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0263552-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0263553-44
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0561563-59
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.10.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0818317-48
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0678777-22
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0057706-46
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0057707-92
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0057223-42
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제1 자성층,상기 제1 자성층 위에 위치하는 절연층, 및상기 절연층 위에 위치하고, (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 제2 자성층을 포함하고,상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 수직자기 이방성을 가지며,상기 A는 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이고, 상기 B는 Pt(백금), Pd(팔라듐), Rh(로듐), Au(금), Hg(수은) 및 Al(알루미늄)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소인 자기터널접합 디바이스
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 절연층은 D100-zEz (0003c#z003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하고, 상기 D는 Li(리튬), Be(베릴륨), Na(나트륨), Mg(마그네슘), Nb(니오븀), Ti(티타늄), V(바나듐), Ta(탄탈륨), Ba(바륨), Pd(팔라듐), Zr(지르코늄), Ho(홀미움), K(칼륨) 및 Ag(은)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 E는 O(산소), N(질소), C(탄소), H(수소), Se(셀레늄), Cl(염소) 및 F(불소)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 자기터널접합 디바이스
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층 중 하나 이상의 자성층은 입방정계 또는 정방정계인 자기터널접합 디바이스
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 자성층 및 상기 절연층의 사이에 위치하는 수평 자기 이방성 자성층, 및상기 제2 자성층 위에 위치하는 결정성 유도층을 더 포함하는 자기터널접합 디바이스
7 7
제6항에 있어서,상기 수평 자기 이방성 자성층은 Fe, CoFe 및 CoFeB로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자기터널접합 디바이스
8 8
제6항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층 중 하나 이상의 자성층에 포함된 상기 화합물이 (Fe100-xPdx)100-yBy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100) 또는 (Fe100-xPtx)100-yBy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 경우, 상기 결정성 유도층은 Pd, Pt, Au 및 Fe로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소를 포함하는 자기터널접합 디바이스
9 9
제6항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 절연층의 사이에 위치하는 또 다른 수평 자기 이방성 자성층, 및상기 제1 자성층 아래에 위치하는 또다른 결정성 유도층을 더 포함하는 자기터널접합 디바이스
10 10
결정성 유도층, 상기 결정성 유도층 위에 위치하고 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 수직 자기 이방성 자성층,상기 수직 자기 이방성 자성층 위에 위치하는 수평 자기 이방성 자성층,상기 수평 이방성 자성층 위에 위치하는 절연층,상기 절연층 위에 위치하는 수평 자기 이방성 자성층, 및상기 수평 자기 이방성 자성층 위에 위치하는 수직 자기 이방성 유도층을 포함하고,상기 A는 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이고, 상기 B는 Pt(백금), Pd(팔라듐), Rh(로듐), Au(금), Hg(수은) 및 Al(알루미늄)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 자기터널접합 디바이스
11 11
비정질을 포함하는 제1 자성층을 제공하는 단계,상기 제1 자성층 위에 절연층을 제공하는 단계,상기 절연층 위에 비정질을 포함하는 제2 자성층을 제공하는 단계, 및상기 제1 자성층, 상기 절연층 및 상기 제2 자성층을 열처리하여 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층을 결정화하는 단계를 포함하고,상기 제1 자성층을 제공하는 단계 및 상기 제2 자성층을 제공하는 단계에서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 각각 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지고, 상기 A는 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이고, 상기 B는 Pt(백금), Pd(팔라듐), Rh(로듐), Au(금), Hg(수은) 및 Al(알루미늄)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소인 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
제11항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층을 결정화하는 단계에서, 상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층은 수직 자기 이방성을 가지는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
14 14
제11항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 제2 자성층을 결정화하는 단계에서, 상기 제1 자성층, 상기 절연층 및 상기 제2 자성층을 300℃ 내지 600℃에서 열처리하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
15 15
제11항에 있어서,상기 제2 자성층 및 상기 절연층의 사이에 수평 자기 이방성 자성층을 제공하는 단계, 및상기 제2 자성층 위에 결정성 유도층을 제공하는 단계를 더 포함하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
16 16
제15항에 있어서,상기 제1 자성층 및 상기 절연층의 사이에 또다른 수평 자기 이방성 자성층을 제공하는 단계, 및상기 제1 자성층 아래에 또다른 결정성 유도층을 제공하는 단계를 더 포함하는 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
17 17
결정성 유도층을 제공하는 단계,상기 결정성 유도층 위에 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지는 화합물을 포함하는 자성층을 제공하는 단계,상기 자성층 위에 수평 자기 이방성 자성층을 제공하는 단계,상기 수평 자기 이방성 자성층 위에 절연층을 제공하는 단계,상기 절연층 위에 수평 자기 이방성 자성층을 제공하는 단계, 상기 수평 자기 이방성 자성층 위에 수직 자기 이방성 유도층을 제공하는 단계, 및상기 결정성 유도층, 상기 자성층, 상기 수평 자기 이방성 자성층, 상기 절연층, 상기 수평 자기 이방성 자성층, 및 상기 수직 자기 이방성 유도층을 열처리하여 상기 자성층을 결정화하는 단계를 포함하고,상기 자성층을 결정화하는 단계에서 상기 자성층은 수직 자기 이방성을 가지고, 상기 자성층은 (A100-xBx)100-yCy (0003c#x003c#100, 0003c#y003c#100)의 화학식을 가지며, 상기 A는 Fe(철), Co(코발트), Ni(니켈), Mn(망간) 및 Cr(크롬)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이고, 상기 B는 Pt(백금), Pd(팔라듐), Rh(로듐), Au(금), Hg(수은) 및 Al(알루미늄)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소이며, 상기 C는 B(붕소), C(탄소), Ta(탄탈륨) 및 Hf(하프뮴)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 비정질화 원소인 자기터널접합 디바이스의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02287863 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02287863 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05300701 JP 일본 FAMILY
4 JP23044684 JP 일본 FAMILY
5 US08841006 US 미국 FAMILY
6 US09263668 US 미국 FAMILY
7 US20110045320 US 미국 FAMILY
8 US20140349416 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2287863 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2287863 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2011044684 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP5300701 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2011045320 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2014349416 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US8841006 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US9263668 US 미국 DOCDBFAMILY
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