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기상화학증착법에 의한 구상의 다이아몬드 분말 합성장치및 이를 이용한 구상의 다이아몬드 합성방법

  • 기술번호 : KST2014003604
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기상화학증착(CVD)법으로 다이아몬드 분말을 합성할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기상화학증착 다이아몬드 합성법에서 플라즈마와 직접 접촉하지 않는 플라즈마의 가장자리 부분에 기판을 놓아, 이 부분에서 균질 핵 생성을 유도하여, 다이아몬드를 구상으로 합성할 수 있는 것이다. 이 방법에서 합성되는 구상의 다이아몬드 분말의 크기는 직경 수 십 ㎚에서 수 ㎛의 크기로 제어될 수 있다. 또한, 합성장치 구조의 변화로 대량으로 다이아몬드 분말을 합성할 수 있다. 다이아몬드, 기상화학증착법, 분말
Int. CL C23C 16/27 (2006.01)
CPC B22F 9/16(2013.01) B22F 9/16(2013.01) B22F 9/16(2013.01)
출원번호/일자 1020010037563 (2001.06.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0411710-0000 (2003.12.05)
공개번호/일자 10-2003-0001801 (2003.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20031218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.06.28)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재갑 대한민국 서울특별시노원구
2 백영준 대한민국 서울특별시노원구
3 은광용 대한민국 서울특별시중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0157985-00
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.04.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0015221-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0292078-18
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2003.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0365897-27
7 의견서
Written Opinion		 2003.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2003-0409803-78
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0409801-87
9 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0478639-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공용기에 플라즈마를 형성시켜 탄소원 반응가스를 분해함으로써 기판Ⅰ상에 막상의 다이아몬드를 합성하는 기상화학증착 다이아몬드 합성장치에 있어서, 플라즈마와 직접 접촉하는 기판Ⅰ 및 상기 기판Ⅰ 주위의 플라즈마 가장자리 부분에 플라즈마와 직접 접촉하지 않게 장치된 기판Ⅱ를 포함하여 구성된 구상의 다이아몬드 분말 합성장치

2 2

제 1 항에 있어서, 링 형태로 제작되어 장치된 기판Ⅰ 및 이 링 형태의 기판Ⅰ의 내부와 외부에 플라즈마와 접촉하지 않게 장치된 기판Ⅱ를 포함하여 구성된 구상의 다이아몬드 분말 합성장치

3 3

제 1항에 있어서, 플라즈마를 2개 이상으로 분리시키기 위한 2개 이상의 기판Ⅰ 및 기판Ⅰ 주위에 플라즈마와 접촉하지 않게 장치된 기판Ⅱ를 포함하여 구성된 구상의 다이아몬드 분말 합성장치

4 4

제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 기판Ⅱ를 플라즈마와 접촉하지 않으면서 플라즈마로부터 10 cm 이내인 곳에 장치하여 구성된 구상의 다이아몬드 분말 합성장치

5 5

진공 용기에 플라즈마를 형성시켜 탄소원 반응가스를 분해시킴으로써 기판Ⅰ 상에 막상의 다이아몬드를 합성시키는 기상화학증착 다이아몬드 합성방법에 있어서, 기판Ⅰ 및 기판Ⅱ를 포함하여 구성된 제 1항 내지 제 3 항 중 어느 하나의 항에 의한 구상의 다이아몬드 분말 합성장치를 이용하고, 기판Ⅱ의 온도를 25℃∼1000℃로 하여, 기판Ⅱ 상에 구상의 다이아몬드 분말을 합성시키는 과정을 포함하는 구상의 다이아몬드 분말 합성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.