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나노결정다이아몬드 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015122183
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 산화막이 코팅된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 형성함에 있어서 기판 표면에 대해 수소 플라즈마 처리 또는 탄화수소 플라즈마 처리를 하거나 탄화수소 열처리를 수행함으로써, 후속의 초음파 파종 공정시 기판 표면과 나노다이아몬드 입자 간의 정전기 인력을 최대화하여 초음파 파종 공정시 기판의 실리콘 산화막 상에 나노다이아몬드 입자가 균일하게 분포, 결합되도록 하고, 궁극적으로 보이드(void)가 최소화된 균질의 나노결정다이아몬드 박막을 제조할 수 있는 나노결정다이아몬드 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법은 실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판을 표면처리하는 단계와, 나노다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 기판을 넣은 후, 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 나노다이아몬드 입자를 분산, 결합시키는 단계 및 상기 나노다이아몬드 입자가 결합된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 표면처리에 의해, 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값이 표면처리되지 않은 경우의 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값보다 증가하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C01B 31/06 (2006.01)
CPC C23C 16/0245(2013.01) C23C 16/0245(2013.01) C23C 16/0245(2013.01) C23C 16/0245(2013.01) C23C 16/0245(2013.01) C23C 16/0245(2013.01)
출원번호/일자 1020120031830 (2012.03.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1331566-0000 (2013.11.14)
공개번호/일자 10-2013-0109795 (2013.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20131121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울 노원구
2 이학주 대한민국 인천 계양구
3 백영준 대한민국 서울특별시 노원구
4 박종극 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0249422-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028380-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0500932-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0694387-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0694388-73
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0712079-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0966810-08
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0966809-51
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0773053-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 산화막이 코팅된 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 기판을 표면처리하는 단계; 나노다이아몬드 입자가 분산된 용액에 상기 기판을 넣은 후, 초음파를 조사하여 상기 기판 상에 나노다이아몬드 입자를 분산, 결합시키는 단계; 및상기 나노다이아몬드 입자가 결합된 기판 상에 나노결정다이아몬드 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 상기 표면처리에 의해, 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값이 표면처리되지 않은 경우의 기판과 나노다이아몬드 입자 간의 전위차의 절대값보다 증가하며, 상기 기판을 표면처리하는 단계는, 상기 기판의 표면처리를 통해 실리콘 산화막의 Si-O 결합을 실라놀기(silanol group) 또는 Si-CH3 결합으로 변형시키는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 표면처리하는 단계는, 상기 기판 표면을 수소 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 표면처리하는 단계는, 상기 기판 표면을 수소와 탄화수소가 혼합된 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 표면처리하는 단계는, 상기 기판을 수소와 탄화수소의 혼합가스 분위기 하에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면처리에 의해 기판의 전위가 음(-)의 방향으로 증가하는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면처리에 의해 입자의 제타포텐셜(ζp)과 기판의 제타포텐셜(ζs)의 차이값의 절대값이 표면처리하지 않은 경우에 대비하여 증가하는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 나노결정다이아몬드 박막은 화학기상증착 공정을 통해 성장시키는 것을 특징으로 하는 나노결정다이아몬드 박막의 제조방법
10 10
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술연구원 원천기술개발사업 나노다이아몬드박막 합성 및 응용기술(2N34220)