맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

모스트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014004719
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 모스트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 상면에 절연막이 형성된 기판과, 절연막 내에 상측이 노출되도록 매립된 게이트 전극과, 절연막 및 노출된 게이트 전극 상에 형성된 게이트 산화막과, 게이트 산화막 상에 형성된 실리콘층과, 게이트 전극 양측의 실리콘층 내에 게이트 산화막과 접촉하도록 각각 형성된 소스 및 드레인 영역을 포함하며, 절연막은, 기판 위에 형성된 제 1 절연막과, 제 1 절연막 상에 형성된 제 2 절연막을 포함하고, 게이트 전극은, 금속막이 포함된다. 따라서 본 발명에 의하면 게이트 전극에서의 전기적 흐름을 금속과 유사하도록 게이트 전극에 금속막과 실리사이드막을 형성한 역 모스트랜지스터를 제조함으로써, RF와 같은 고속의 동작을 요하는 응용에서 손실 없이 고속으로 동작시킬 수 있으며, 상부 폴리게이트는 불순물 도핑을 통해 소자의 특성을 조절할 수 있는 효과가 있다. 모스트랜지스터, 게이트 전극, 절연막, 게이트 산화막과, 전기, 속도, 역 모스트랜지스터
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01) H01L 29/42384(2013.01)
출원번호/일자 1020070138620 (2007.12.27)
출원인 주식회사 동부하이텍
등록번호/일자 10-0940161-0000 (2010.01.26)
공개번호/일자 10-2009-0070572 (2009.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.27)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 디비하이텍 대한민국 경기도 부천시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤형선 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 동부하이텍 대한민국 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0937956-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0040807-22
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0358956-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.10.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0652549-26
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0652551-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496122-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5178591-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103371-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상면에 절연막이 형성된 기판과, 상기 절연막 내에 상측이 노출되도록 매립된 게이트 전극과, 상기 절연막 및 노출된 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 산화막과, 상기 게이트 산화막 상에 형성된 실리콘층과, 상기 게이트 전극 양측의 상기 실리콘층 내에 상기 게이트 산화막과 접촉하도록 각각 형성된 소스 및 드레인 영역을 포함하며, 상기 절연막은, 상기 기판 위에 형성된 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 상에 형성된 제 2 절연막을 포함하고, 상기 게이트 전극에는 포함되는 금속막의 상면상에 계면 물질을 증착하고 폴리 증착과 함께 열처리를 통해 실리사이드막을 더 형성하는 모스트랜지스터
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 게이트 전극의 금속막은, 상기 게이트 선폭 보다 크게 형성되는 모스트랜지스터
3 3
삭제
4 4
기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 상면에 절연막을 형성하고 상기 절연막 내에 상측이 노출되도록 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 절연막과 상기 게이트 전극 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측의 상기 실리콘층 내에 상기 게이트 산화막과 접촉하도록 각각 형성된 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 열산화에 의한 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연막상에 금속을 증착, 패터닝 및 식각을 통하여 금속막을 형성하고, 상기 금속막의 상면 상에 계면 물질을 증착하고 폴리 증착과 함께 열처리를 통해 실리사이드막을 형성하도록 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 상측이 노출되도록 게이트 전극을 매립하는 제 2 절연막을 형성하는 단계 를 포함하는 모스트랜지스터 제조방법
5 5
기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 상면에 절연막을 형성하고 상기 절연막 내에 상측이 노출되도록 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 절연막과 상기 게이트 전극 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측의 상기 실리콘층 내에 상기 게이트 산화막과 접촉하도록 각각 형성된 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 기판상에 열산화에 의한 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제 1 절연막의 일부를 패터닝 및 식각 후 금속을 채워 넣어 금속막을 형성하고, 상기 금속막의 상면 상에 계면 물질을 증착하고 폴리 증착과 함께 열처리를 통해 실리사이드막을 형성하도록 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 상측이 노출되도록 게이트 전극을 매립하는 제 2 절연막을 형성하는 단계 를 포함하는 모스트랜지스터 제조방법
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.