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빔구조를 이용한 에스오엔 모스 트렌지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014007806
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 중 모스 트랜지스터의 성능을 향상시키기 위한 빔(beam) 구조의 SON(Silicon-On-Nothing) 모스 트랜지스터 및 이를 이용한 인버터 소자 및 이들의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명의 SON 모스 트랜지스터는 반도체 기판 상에 패시베이션막을 형성하고 패터닝을 하는 단계; 패터닝된 패시베이션막 위에 붕소(boron)를 주입하여 붕소층을 형성한 다음, 붕소층을 식각 장벽으로 비등방성 식각을 하여 반도체 기판에 빔 구조를 형성하는 단계; 빔 구조로 형성된 기판에 게이트 절연물질을 증착하는 단계; 증착된 게이트 절연물질 상에 전극물질을 증착하여 게이트/소오스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 제조된다.제조시, 기판의 빔구조에 의해 게이트 절연물질 및 게이트/소오스/드레인의 전극물질은 자기 정렬(Self-Align) 방식으로 증착되므로 비교적 간단한 공정으로 모스 트랜지스터를 구현할 수 있으며, 게이트와 드레인 사이의 공기층을 통해 소자의 채널 길이가 작아지면서 발생하는 단채널 효과를 현저히 줄일 수 있는 효과가 있다.SON(Silicon-On-Nothing)구조, 트랜지스터, 비등방성 식각, 벌크-마이크로머시닝(Bulk-Micromachining), 자기정렬(Self-Align), 단 채널 효과
Int. CL H01L 21/336 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020050015337 (2005.02.24)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0674142-0000 (2007.01.18)
공개번호/일자 10-2006-0094288 (2006.08.29) 문서열기
공고번호/일자 (20070124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.02.24)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권일웅 대한민국 인천광역시 서구
2 이용수 대한민국 대전광역시 유성구
3 이희철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박경완 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0098143-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0216707-72
3 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2006.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0425178-18
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0508266-18
5 의견서
Written Opinion		 2006.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2006-0508242-12
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0618590-34
7 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0042467-76
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.12.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0043285-31
9 등록결정서
Decision to grant		 2007.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0018020-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
(a) 반도체 기판 상에 패시베이션(passivation)막을 형성하고 패터닝을 하는 단계;(b) 상기 기판 위에 붕소(boron)를 주입하여 도핑한 후, 상기 패터닝된 패시베이션막을 제거하는 단계;(c) 상기 기판에 붕소가 도핑 되지 않은 부분을 비등방성 식각하여 상기 기판에 빔 구조를 형성하는 단계;(d) 상기 빔 구조로 형성된 기판에 게이트 절연물질을 형성하는 단계; 및(e) 상기 증착된 게이트 절연물질 상에 전극물질을 형성하여 게이트/소오스/드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 빔 구조를 이용한 SON 모스 트랜지스터의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 (c)단계는 벌크-마이크로머시닝(Bulk-Micromachining) 공정으로 상기 기판을 식각하여 상기 기판에 상기 게이트/소오스/드레인 전극을 형성할 'U'자 모양의 공동을 갖는, 빔 구조를 이용한 SON 모스 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 게이트 절연물질은 SiO2, Si3N4, Al2O3, Y203, ZrO2, HfO2, Ta2O5, TiO2 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성시키는, 빔 구조를 이용한 SON 모스 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제3 항에 있어서,상기 전극물질은 금속(Metal)인, 빔 구조를 이용한 SON 모스 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제1 항의 방법에 의해 제조된, SON 모스 트랜지스터
6 6
(a) 반도체 기판 상에 제1 패시베이션막을 형성하고 패터닝을 하는 단계;(b) 상기 기판 위에 붕소(boron)를 주입하여 도핑한 후, 상기 패터닝된 제1 패시베이션막을 제거하는 단계;(c) 상기 기판에 붕소가 도핑 되지 않은 부분을 비등방성 식각하여 상기 기판에 빔 구조를 형성하는 단계;(d) 상기 빔 구조를 갖는 기판에 제1 게이트 절연물질을 형성하는 단계;(e) 상기 제1 게이트 절연물질 상에 전극물질을 형성하여 중앙에 공기층을 갖는 채널을 형성한 후, 상기 전극물질이 형성되지 않은 빔 구조 위의 제1 게이트 절연물질을 제거하는 단계;(f) 상기 기판 위에 실리콘을 증착하여 상기 기판과는 다른 웨이퍼를 형성하는 단계;(g) 상기 웨이퍼 상에 상기 기판에 형성된 빔 구조와는 수직이 되도록 또 다른 빔 구조를 형성하는 단계;(h) 상기 빔 구조를 갖는 웨이퍼에 제2 게이트 절연물질을 형성하는 단계; 및(i) 상기 제2 게이트 절연물질 상에 전극물질을 각각 형성하여 순차적으로 게이트/소오스/드레인 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극이 상기 기판의 빔 구조 상에 위치되어 두 개의 모스 트랜지스터가 공유 전극을 갖도록 정합하는 단계;를 포함하는, SON 모스 트랜지스터를 이용한 인버터 소자의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서,상기 (f)단계는,(f-1) 상기 웨이퍼 상에 제2 패시베이션막을 형성하여 패터닝하는 단계;(f-2) 상기 웨이퍼 위에 붕소(boron)를 주입하여 도핑한 후, 상기 패터닝된 제2 패시베이션막을 제거하는 단계; 및(f-3) 상기 웨이퍼에 붕소가 도핑 되지 않은 부분을 비등방성 식각하여 상기 기판에 빔 구조를 형성하는 단계;를 포함하는, SON 모스 트랜지스터를 이용한 인버터 소자의 제조 방법
8 8
제6 항의 방법에 의해 두 개의 모스 트랜지스터 단위 소자가 일체화된 구조를 갖는, 인버터 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07642167 US 미국 FAMILY
2 US20060189086 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006189086 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7642167 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.