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유기박막 트랜지스터 소자 상부에 유기보호막을 형성하는 단계; 및상기 유기보호막 상부 표면에 소수성 자기조립단분자막을 형성하는 단계; 를 포함하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기보호막은 히드록시기(-OH)를 가지는 1종 이상의 단량체로부터 제조된 수용성 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 수용성 고분자는 질량평균 분자량 5,000 ~ 1,000,000 이고, 물 또는 알코올류로부터 선택되는 극성용매에 대하여 질량 평균 1~50퍼센트의 용해도를 갖는 폴리비닐알코올 또는 폴리비닐알코올 공중합체인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 유기보호막은 수용성고분자 수용액을 사용하여 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린 프린팅 또는 딥핑으로부터 선택되는 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 유기 보호막은 두께가 30 내지 3000nm인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 소수성 자기조립단분자막은 하기 화학식 1로부터 선택되는 화합물이 유기보호막 상에 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 화학식 1에서 R은 불소원자로 치환되거나 치환되지 않은 C2~C50의 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이며, X는 Cl, -OCH3 또는 -OCH2CH3로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 소수성 자기조립단분자막은 100 nm 이하의 두께 및 70 dyne/cm 이하의 표면장력을 가지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터의 제조방법
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기판, 게이트 전극, 유기절연막, 유기활성층, 소스/드레인 전극 및 유기보호막을 포함하는 유기박막트랜지스터로서, 상기 유기보호막 표면에 소수성 자기조립단분자막이 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 유기보호막은 히드록시기(-OH)를 가지는 1종 이상의 단량체로부터 제조된 수용성 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제 9 항에 있어서,소수성 자기조립단분자막은 하기 화학식 1로부터 선택되는 화합물이 유기보호막 상에 결합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제 9 항에 있어서, 유기활성층은 펜타센, 테트라센(tetracene), 올리고 티오펜 (oligo thiophene), 폴리티오펜(polythiophene), 금속 프탈로시아닌, 폴리페닐렌 (polyphenylene), 폴리비닐렌페닐렌 (polyvinylenephenylene), 폴리플루오렌 (polyfluorene), C60, 플루오르화 프탈로시아닌 및 이들의 유도체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제 12항에 있어서, 유기박막 트랜지스터의 전계이동도가 0
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제 9 항 내지 제 12 항으로부터 선택되는 어느 한 항의 유기박막 트랜지스터를 구비하는 표시 소자
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제 14항에 있어서,상기 표시소자는 유기발광디스플레이, 전자종이 또는 액정디스플레이로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터를 구비하는 표시 소자
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