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경사입사 증착방법을 이용한 원편광 변환 소자에 있어서,
기판의 상부에 증착되는 제1 유전체 박막층과,
상기 유전체 박막층 상부에 증착되는 제2 유전체 박막층으로 이루어지되,
상기 제1 유전체 박막층은 지그재그 구조의 비등방 박막층이고, 상기 제2 유전체 박막층은 나선형 구조의 비등방 박막층인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제 1항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층은 위상차(△φ = (2πd/λ)(nx - ny)를 만족하는 두께로 증착되는 1/4 파장판인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제 1항에 있어서,
상기 제2 유전체 박막층은 비등방 굴절률 박막의 피치 두께와 상기 기판의 회전 방향에 의해 하나의 원형 편광된 빛만을 투과시키는 원편광 분리 소자인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제1항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막 및 제2 유전체 박막은 상기 기판의 굴절률보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제 1항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층은 비등방 굴절율과 두께를 조절하여 형성된 1/2 파장판인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제1항에 있어서,
상기 기판은 유리 또는 고분자로 이루어지는 투명 재질인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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제1항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층과 제2 유전체 박막층은 사용하고자 하는 파장 영역에서 흡수율이 0
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9
제8항에 있어서,
상기 유전체 물질은 TiO2, ZrO2, Ta2O5, CeO2,Si, Bi2O3, SnO2, WO3, HfO2, MoO3 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 이루어지는 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자
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경사입사 증착방법을 이용한 휘도 향상 소자에 있어서,
기판의 상부에 증착되는 제1 유전체 박막층과,
상기 제1 유전체 박막층의 상부에 증착되는 제2 유전체 박막층과,
상기 제2 유전체 박막층의 상부에 증착되는 제3 유전체 박막층으로 이루어지되,
상기 제1 유전체 박막층과 제3 유전체 박막층은 지그재그 구조의 비등방 박막층이고, 상기 제2 유전체 박막층은 나선형 구조의 비등방 박막층인 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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11
제10항에 있어서,
상기 기판은 유리 또는 고분자로 이루어지는 투명 재질인 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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삭제
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제 10항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층은 위상차(△φ = (2πd/λ)(nx - ny)를 만족하는 두께로 증착되는 1/4 파장판인 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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제 10항에 있어서,
상기 제2 유전체 박막층은 비등방 굴절률 박막의 피치 두께와 상기 기판의 회전 방향에 의해 하나의 원형 편광된 빛만을 투과시키는 원편광 분리 소자인 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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15
제10항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막, 제2 유전체 박막, 및 제3 유전체 박막은 상기 기판의 굴절률보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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제10항에 있어서,
상기 휘도 향상 소자는 전면 또는 후면에 편광자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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17
제16항에 있어서,
상기 편광자의 후면에 반사판을 더 설치하는 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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제10항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층, 제2 유전체 박막층, 및 제3 유전체 박막층은 사용하고자 하는 파장 영역에서 흡수율이 0
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19
제18항에 있어서,
상기 유전체 물질은 TiO2, ZrO2, Ta2O5, CeO2,Si, Bi2O3, SnO2, WO3, HfO2, MoO3 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 이루어지는 금속 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 휘도 향상 소자
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20
경사입사 증착방법을 이용한 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법에 있어서,
기판 위에 소정 각도로 지그재그 구조를 갖는 제1 유전체 박막층을 증착하는 단계와,
상기 제1 유전체 박막층의 상부에 나선형 구조의 제2 유전체 박막층을 증착하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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21
제20항에 있어서,
상기 제2 유전체 박막층의 상부에 지그재그 구조의 제3 유전체 박막층을 증착하여 휘도 향상 소자를 제작하는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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제20항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층이 1/2 파장판으로 제작된 경우에 원편광 변환 소자로 제작되는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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제20항 또는 제21항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층과 제3 유전체 박막층은 1/4 파장판인 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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제20항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층과 제2 유전체 박막층은 경사 입사각을 30°에서 90° 범위 내에서 증착하는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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25
제20항에 있어서,
상기 제1 유전체 박막층과 제2 유전체 박막층은 상기 기판을 회전하면서 증착시키는 것을 특징으로 하는 원편광 변환 소자 및 휘도 향상 소자의 제작 방법
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제25항에 있어서,
상기 기판의 회전 속도는 0
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제20항에 있어서,
상기 기판의 증착률은 0
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