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플라즈마 처리장치

  • 기술번호 : KST2014009886
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 진공챔버; 상기 진공챔버 상부벽 외부에 설치되고 고주파 전원이 인가되는 RF 안테나; 및 상기 진공챔버의 내부를 상기 RF 안테나에 의해 플라즈마가 형성되는 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역를 구획하여 분리하는 매니폴드를 포함하며, 상기 매니폴드에는 내부 공간이 형성되고, 상기 내부공간은 복수 개의 소스분출공들을 통하여 상기 기판 탑재영역과 연통하고, 상기 진공챔버 외부에서 상기 내부 공간과 연통한 소스 공급관을 통하여 소스를 공급하며, 상기 내부공간과 구획되고 상기 소스분출공들과 겹치지 않도록 상하 관통되어 상기 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역을 연통하는 복수 개의 플라즈마 통로들이 형성되며, 상기 매니폴드에는 직류 바이어스가 인가되는 플라즈마 처리장치가 개시된다.플라즈마, CVD, 매니폴드
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32623(2013.01) H01J 37/32623(2013.01) H01J 37/32623(2013.01)
출원번호/일자 1020050066170 (2005.07.21)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0798416-0000 (2008.01.21)
공개번호/일자 10-2007-0011692 (2007.01.25) 문서열기
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.07.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 김석훈 대한민국 인천시 부평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)
3 임평섭 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로 ***-*, *층(당산동*가, 정우빌딩)(임특허법률사무소)
4 홍승규 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 넥서스비 전라북도 전주시 완산구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2005-0395505-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060410-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0572395-70
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0855800-39
6 의견서
Written Opinion
2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0968937-02
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0968947-58
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0275721-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.07.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0485704-65
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0485701-28
11 등록결정서
Decision to grant
2007.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0583368-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공챔버;상기 진공챔버 상부벽 외부에 설치되고 고주파 전원이 인가되는 RF 안테나; 및그 가장자리가 상기 진공챔버의 내측면에 밀착되어 상기 진공챔버의 내부를 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역를 구획하여 분리하는 매니폴드를 포함하며,상기 플라즈마 형성영역에는 상기 RF 안테나에 인가되는 고주파 전원에 의해 플라즈마가 유도되고,상기 매니폴드에는 내부 공간이 형성되고, 상기 내부공간은 복수 개의 소스분출공들을 통하여 상기 기판 탑재영역과 연통하고, 상기 진공챔버 외부에서 상기 내부 공간과 연통한 소스 공급관을 통하여 소스를 공급하며, 상기 내부공간과 구획되고 상기 소스분출공들과 겹치지 않도록 상하 관통되어 상기 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역을 연통하는 복수 개의 플라즈마 통로들이 형성되며,상기 매니폴드에는 상기 플라즈마에서 형성된 이온이 상기 기판에 도달하는 것을 방지하는 직류 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마의 소스는 유도결합 플라즈마(ICP), 고밀도 플라즈마(HDP), 정전결합 플라즈마(CCP) 및 전자 싸이클론 공진(ECR) 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 통로는 높이방향으로 경사지거나 절곡된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 챔버의 측면에는 펌핑에 의해 상기 플라즈마를 순환하기 위하여 게이트 밸브를 경유하는 바이패스 라인이 설치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
6 6
진공챔버;상기 진공챔버 상부벽 외부에 설치되고 고주파 전원이 인가되는 RF 안테나; 및그 가장자리가 상기 진공챔버의 내측면에 밀착되어 상기 진공챔버의 내부를 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역를 구획하여 분리하는 매니폴드를 포함하며,상기 플라즈마 형성영역에는 상기 RF 안테나에 인가되는 고주파 전원에 의해 플라즈마가 유도되고,상기 매니폴드에는 내부 공간이 형성되고, 상기 내부공간은 복수 개의 소스분출공들을 통하여 상기 기판 탑재영역과 연통하고, 상기 진공챔버 외부에서 상기 내부 공간과 연통한 소스 공급관을 통하여 소스를 공급하며, 상기 내부공간과 구획되고 상기 소스분출공들과 겹치지 않도록 상하 관통되어 상기 플라즈마 형성영역과 기판 탑재영역을 연통하는 복수 개의 플라즈마 통로들이 형성되며,상기 매니폴드에는 상기 플라즈마에서 형성된 이온이 에칭공정이나 애싱공정에 적용되도록 가속하는 것에 대응하여 선택된 바이어스가 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 통로들과 소스분출공들은 균일한 분포로 형성되며, 각각의 직경은 1 내지 20mm 정도인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치
8 8
삭제
9 9
삭제
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