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원자층 증착법을 이용한 산화아연 박막의 형성방법

  • 기술번호 : KST2015140982
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층 증착법을 이용하여 산화아연 박막을 형성하는 방법으로서, 아연 소스를 100℃ 이하의 공정 온도에서 주입하는 단계; 미반응 아연 소스와 반응 부산물을 제거하는 단계; 산소 소스를 주입하여 상기 아연 소스와 반응시키는 단계; 및 미반응 산소 소스와 반응 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 산화아연 박막의 형성방법이 개시된다. ALD, 원자층 증착, 산화아연, ZnO, 박막, 비저항, 전도도, 저온
Int. CL C23C 16/455 (2006.01.01) C23C 16/44 (2006.01.01) C23C 16/52 (2018.01.01)
CPC C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01) C23C 16/45525(2013.01)
출원번호/일자 1020080042298 (2008.05.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0116393 (2009.11.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.07)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울특별시 노원구
2 정우호 대한민국 서울특별시 성동구
3 이승준 대한민국 서울특별시 노원구
4 방석환 대한민국 서울특별시 동대문구
5 전순열 대한민국 경기도 수원시 권선구
6 권세명 대한민국 서울특별시 강서구
7 박형호 대한민국 서울특별시 강남구
8 장호정 대한민국 충청남도 천안시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정현영 대한민국 서울특별시 금천구 벚꽃로 ***, ****호-** (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0325001-14
2 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0435612-92
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0029064-02
5 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466165-34
6 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0466592-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0161862-90
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0362789-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0362791-14
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0455467-20
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.11.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0045765-19
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2010.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0577468-04
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.01.18 수리 (Accepted) 7-8-2011-0001381-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
원자층 증착법을 이용하여 산화아연 박막을 형성하는 방법으로서, 아연 소스를 100℃ 이하의 공정 온도에서 주입하는 단계; 미반응 아연 소스와 반응 부산물을 제거하는 단계; 산소 소스를 주입하여 상기 아연 소스와 반응시키는 단계; 및 미반응 산소 소스와 반응 부산물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 산화아연 박막의 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 아연 소스는 디에틸아연(DEZ)을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 산화아연 박막의 형성방법
3 3
청구항 1 또는 2에 있어서, 상기 산화 소스는 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 산화아연 박막의 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 공정온도는 70℃ 내지 100℃인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법을 이용한 산화아연 박막의 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한양대학교 산학기술단 한국과학재단 특정기초연구 휨성 디스플레이 응용을 위한 유기-무기 혼성 전계 효과트랜지스터