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플라즈마 모니터링 방법 및 플라즈마 모니터링 장치

  • 기술번호 : KST2014009899
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 모니터링 방법 및 그 장치를 제공한다. 이 방법은 기판에 주기적인 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 축전결합 플라즈마 발생 장치에 있어서, 기판을 통하여 흐르는 기판 전류를 측정하는 단계, 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 단계를 포함한다. 플라즈마, 모니터링, 이온포화전류
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/00 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) G01N 27/00 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) G01N 21/3504 (2014.01.01)
CPC H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01)
출원번호/일자 1020070121473 (2007.11.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0955489-0000 (2010.04.22)
공개번호/일자 10-2009-0054673 (2009.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정진욱 대한민국 서울 송파구
2 최익진 대한민국 서울특별시 강북구
3 이민형 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0852780-23
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0045790-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0178875-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0346993-30
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0346994-86
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0443570-86
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.11.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0058715-27
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.18 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2009-0707954-83
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0090222-79
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2009.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0100790-60
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0020842-69
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0142178-31
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0142179-87
16 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0155960-70
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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3 3
기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 방법에 있어서, 상기 플라즈마로부터 상기 기판을 통하여 흐르는 기판 전류를 측정하는 단계; 및 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 단계를 포함하고, 상기 기판 전류는 전도 전류 및 변위 전류를 포함하고, 상기 이온 포화 전류를 추출하는 단계는 상기 기판 전류로부터 상기 변위전류를 구하고, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건에서 수행하는 것을 포함하되, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건은 상기 기판 전류를 이차 미분하여 영이 되는 조건인 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
4 4
기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 방법에 있어서, 상기 전원에 의하여 상기 기판에 인가되는 기판 전위를 측정하는 단계; 상기 플라즈마로부터 상기 기판을 통하여 흐르는 기판 전류를 측정하는 단계; 및 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 단계를 포함하되, 상기 기판 전류는 전도 전류 및 변위 전류를 포함하고, 상기 이온 포화 전류를 추출하는 단계는 상기 기판 전류로부터 상기 변위전류를 구하고, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건에서 수행하는 것을 포함하되, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건은 상기 주기적인 전원의 위상과 상기 기판 전류의 위상이 90도 차이를 가지는 조건인 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
5 5
기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 방법에 있어서, 상기 플라즈마의 플로팅 전위를 측정하는 단계; 상기 전원에 의하여 상기 기판에 인가되는 기판 전위를 측정하는 단계; 상기 플로팅 전위와 상기 기판 전위를 이용하여 전자 온도를 추출하는 단계; 상기 플라즈마로부터 상기 기판을 통하여 흐르는 기판 전류를 측정하는 단계; 및 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 단계를 포함하되, 상기 기판 전류는 전도 전류 및 변위 전류를 포함하고, 상기 이온 포화 전류를 추출하는 단계는: 상기 기판 전류로부터 상기 변위전류를 구하고, 상기 변위 전류가 최소가 되는 상기 기판 전류를 이차 미분하여 영이 되는 조건에서 수행하는 단계; 및 상기 전자 온도와 상기 이온 포화 전류를 이용하여 전자 밀도를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 플로팅 전위와 상기 기판 전위를 이용하여 전자 온도를 추출하는 단계는 플럭스 보존의 법칙을 이용하여 상기 전자 온도를 추출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법
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기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 장치에 있어서, 상기 플라즈마로부터 상기 기판의 기판 전류를 측정하는 전류 감지부; 및 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 처리부를 포함하고, 상기 기판 전류는 변위 전류 및 전도 전류를 포함하고, 상기 처리부는 상기 기판 전류로부터 변위전류를 구하고, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건에서 수행하도록 상기 기판 전류에서 이온 포화 전류를 추출하도록 구성되되, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건은 상기 기판 전류의 이차 미분이 영인 조건인 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 장치
11 11
기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 장치에 있어서, 상기 플라즈마로부터 상기 기판의 기판 전류를 측정하는 전류 감지부; 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 처리부; 및 상기 전원에 의하여 상기 기판에 인가되는 기판 전위를 측정하는 기판 전위 측정부를 포함하되, 상기 기판 전류는 변위 전류 및 전도 전류를 포함하고, 상기 처리부는 상기 기판 전류로부터 변위전류를 구하고, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건에서 수행하도록 상기 기판 전류에서 이온 포화 전류를 추출하도록 구성되되, 상기 변위 전류가 최소가 되는 조건은 상기 주기적인 전원의 위상과 상기 기판 전류의 위상이 90도 차이를 가지는 조건인 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 장치
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기판에 주기적인 정현파의 RF 전원을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 모니터링 장치에 있어서, 상기 플라즈마로부터 상기 기판의 기판 전류를 측정하는 전류 감지부; 상기 기판 전류를 처리하여 이온 포화 전류를 추출하는 처리부; 상기 플라즈마의 플로팅 전위를 측정하는 플로팅 전위 측정부; 및 상기 전원에 의하여 상기 기판에 인가되는 기판 전위를 측정하는 기판 전위 측정부를 포함하되, 상기 기판 전류는 변위 전류 및 전도 전류를 포함하고, 상기 처리부는: 상기 플로팅 전위와 상기 기판 전위를 이용하여 전자 온도를 추출하는 전자 온도 추출부; 상기 기판 전위가 최대인 조건에서 변위 전류가 영이되는 것을 이용하여 상기 이온 포화전류를 추출하도록 구성되는 이온 포화 전류 추출부; 및 상기 전자 온도와 상기 이온 포화 전류를 이용하여 전자 밀도를 추출하도록 구성되는 전자 밀도 추출부를 포함하여, 상기 기판 전류로부터 변위전류를 구하고 상기 변위 전류가 최소가 되는 상기 기판 전류를 이차 미분하여 영이 되는 조건에서 수행하도록 상기 기판 전류에서 이온 포화 전류를 추출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 장치
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.