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웨이퍼 본딩 방법 및 그 제조 방법에 의해 제조된 삼차원 구조의 반도체 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2018010583
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 웨이퍼 본딩 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 본딩 방법은 적어도 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 제1 웨이퍼(wafer)를 준비하는 단계; 상기 제1 웨이퍼 상에 제1 캡핑층(capping layer)을 형성하는 단계; 상기 제1 캡핑층 상에 제2 캡핑층을 형성하는 단계; 상기 제2 캡핑층에 플라즈마(plasma) 처리를 진행하는 단계; 산화물층을 포함하는 제2 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 제1 웨이퍼 및 상기 제2 웨이퍼를 압력을 이용하여 본딩(bonding)시키는 단계; 및 상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 단계를 포함하고, 상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 단계는 무선 주파수(radio frequency; RF)를 이용하여 열처리하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01J 37/32 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020170009854 (2017.01.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0086013 (2018.07.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.01.20)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창환 대한민국 서울특별시 성동구
2 한훈희 대한민국 경기도 안성시 서당길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0072568-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0043274-84
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0205692-32
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0508315-72
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-0622784-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0693299-12
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0693315-66
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0800522-35
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0082961-11
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0082938-60
12 등록결정서
Decision to grant
2019.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0076915-71
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 제1 웨이퍼(wafer)를 준비하는 단계;상기 제1 웨이퍼 상에 제1 캡핑층(capping layer)을 형성하는 단계;상기 제1 캡핑층 상에 형성되고, 알루미늄 산화물(Al2O3)을 사용하는 제2 캡핑층을 형성하는 단계;상기 제2 캡핑층에 플라즈마(plasma) 처리를 진행하는 단계;표면에 산화물층을 포함하는 제2 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 제1 웨이퍼 및 상기 제2 웨이퍼를 압력을 이용하여 본딩(bonding)시키는 단계; 및상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 단계를 포함하고,상기 제1 캡핑층 상에 제2 캡핑층을 형성하는 단계는 상기 제2 캡핑층을 화학적 기계적 연마(CMP) 처리하여 상기 제2 캡핑층과 상기 제2 웨이퍼 사이의 단차를 감소시키며,상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 단계는 무선 주파수(radio frequency; RF)를 이용하여 열처리하여 상기 제2 캡핑층의 알루미늄 산화물(Al2O3)과 상기 제2 웨이퍼의 표면에 형성된 상기 산화물층을 산화물-산화물(Oxide-Oxide) 본딩시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 캡핑층은 실리콘 산화물(SiOx)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 캡핑층은 100nm 내지 300nm의 두께인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 캡핑층은 원자층 증착(ALD)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 제2 캡핑층은 100nm 내지 300nm의 두께인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 상기 단계는,상기 제1 웨이퍼의 영역 별로 선택적으로 열처리하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 본딩된 제1 웨이퍼 및 제2 웨이퍼를 어닐링하는 상기 단계는,300℃ 내지 400℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 웨이퍼 및 상기 제2 웨이퍼를 압력을 이용하여 본딩(bonding)시키는 상기 단계는,100N 내지 1000N의 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 제2 웨이퍼는 상기 적어도 하나 이상의 반도체 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
12 12
제1항에 있어서,상기 제2 웨이퍼 내에는 임플란트(implant) 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 본딩 방법
13 13
제1항 내지 제4항, 제6항, 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 웨이퍼 본딩 방법으로 제조된 3차원 구조의 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) 교육부 산학협력선도대학(LINC)육성사업 / LINK(기업지원) / 기술개발과제(3차) 사물인터넷 센서용 웨이퍼 본더 히터