맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

탄소나노튜브 전계방출 에미터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014011553
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 탄소나노튜브로 구성된 3차원 구조의 장수명 전계방출 에미터에 관한 것이다. 탄소나노튜브를 전계방출 에미터로 사용하여 전계방출 디스플레이(Field Emission Display), BLU(Back Light Unit) 등으로 활용하기 위해서는 충분한 밝기를 가져야 하며, 이를 위해 형광체에 충분한 전류밀도를 흘려주어야 한다. 그러나 기존의 탄소나노튜브 전계방출에미터는 2차원적인 구조를 가지고 있어서 에미터의 면적이 제한되어 있었기 때문에 탄소나노튜브 한 가닥에 흐르는 전류밀도가 너무 높아 탄소나노튜브의 손상이 심하여 수명이 짧은 문제점을 가지고 있었다. 상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명에서는 탄소나노튜브 전계방출에미터를 3차원적인 구조로 설계하여 에미터 면적을 이론적으로 무한대까지 확장할 수 있도록 하였다. 본 발명의 설계에 따라 면적이 확장된 에미터는 탄소나노튜브 한 가닥 당 흐르는 전류밀도는 최소화할 수 있기 때문에 탄소나노튜브의 손상이 최소화되어 수명이 크게 향상될 것으로 기대되며, 본 발명을 통해 탄소나노튜브 전계방출에미터의 상용화가 앞당겨질 것으로 기대된다.탄소나노튜브, 전계방출, 에미터, 캐소드, 장수명, 3차원, 펄스파
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/304 (2011.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020060133799 (2006.12.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0892366-0000 (2009.04.01)
공개번호/일자 10-2008-0059890 (2008.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20090410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.26)
심사청구항수 14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍순형 대한민국 대전광역시 유성구
2 모찬빈 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0963026-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.10.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.11.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0066056-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0620183-03
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0043733-79
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0043746-62
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0256503-61
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0497810-67
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2008.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0555992-43
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0907932-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0056871-00
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0056877-73
13 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0121998-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 일면에 탄소나노튜브가 형성되어 있는 전극판의 두께에 대한 높이의 비인 장대비가 1~20인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터
2 2
넓은 면이 서로 대면하여 쌍을 이루도록 위치한 적어도 2개의 전극판들과;상기 전극판들의 각각의 양면에 형성된 탄소나노튜브와;상기 전극판들의 각각의 일측면이 접촉한 상태로 수직으로 고정되게 하는 기판과;상기 기판과 이격된 상태로 나란하게 설치되며, 상기 기판과 대면하는 형광체를 가지는 애노드 전극과;상기 애노드 전극과 상기 전극판들 사이에 직류 전압을 인가하는 직류전원과;상기 쌍을 이루는 전극판들 중의 어느 하나와 다른 하나에 주기적으로 서로 다른 크기의 전압을 나타내는 펄스파가 인가되도록 하여, 이들이 교대로 캐소드 전극과 게이트의 역할을 하도록 해주는 펄스파 공급기;를 구비하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터
3 3
제2항에 있어서, 상기 전극판의 두께에 대한 높이의 비인 장대비가 1~20 인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터
4 4
제2항에 있어서, 상기 기판이 유리기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터
5 5
(a) 적어도 일면에 탄소나노튜브가 형성된 전극판을 복수 개 제작하는 단계와;(b) 상기 전극판들의 탄소나노튜브가 형성된 넓은 면이 대향되는 쌍을 이루도록 배열하는 단계와;(c) 상기 전극판들에 이격되게 형광체를 가지는 애노드 전극을 설치하는 단계와;(d) 상기 대향되는 쌍을 이룬 전극판들 사이에 주기적으로 서로 다른 크기의 전압을 나타내는 펄스파가 인가되도록 하여, 이들이 교대로 캐소드 전극과 게이트의 역할을 하도록 해주는 펄스파 공급기를 설치하는 단계와;(e) 상기 대향되는 쌍을 이룬 전극판들과 상기 애노드 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류전원을 설치하는 단계;를 구비하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 (a) 단계가:(a-1) 상기 전극판의 모재의 적어도 일면에, 탄소나노튜브와 탄소나노튜브 복합분말 중에서 선택된 어느 하나를 유기바인더와 혼합하여 형성한 혼합물을 복수의 소정 영역들에만 도포하는 단계와;(a-2) 상기 혼합물이 도포된 전극판을 진공에서 소성하여 상기 도포된 영역에만 탄소나노튜브가 형성되게 하는 단계와;(a-3) 상기 탄소나노튜브가 형성된 영역이 포함되게 상기 전극판의 모재를 절단하여 탄소나노튜브가 형성된 전극판을 복수 개 얻는 단계;인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
7 7
(a) 적어도 일면에 탄소나노튜브가 형성된 전극판이, 상기 탄소나노튜브가 형성된 넓은 면이 대향되는 쌍을 이루는 배열 상태로 복수 개 형성되게 하는 단계와;(b) 상기 전극판들에 이격되게 형광체를 가지는 애노드 전극을 설치하는 단계와;(c) 상기 대향되는 쌍을 이룬 전극판들 사이에 주기적으로 서로 다른 크기의 전압을 나타내는 펄스파가 인가되도록 하여, 이들이 교대로 캐소드 전극과 게이트의 역할을 하도록 해주는 펄스파 공급기를 설치하는 단계와;(d) 상기 대향되는 쌍을 이룬 전극판들과 상기 애노드 전극 사이에 직류 전압을 인가하는 직류전원을 설치하는 단계;를 구비하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (a) 단계가:(a-1) 기판 상에 탄소나노튜브를 포함한 금속계 복합재료층을 성막시키는 단계와;(a-2) 일정한 간격의 패턴으로 상기 탄소나노튜브를 남기고 상기 금속계 복합재료층만을 식각 제거함으로써, 상기 탄소나노튜브가 형성된 넓은 면이 대향되는 쌍을 이루는 배열 상태로 복수 개의 전극판이 형성되게 하는 단계;인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 금속계 복합재료층만을 식각 제거하는 (a-2) 단계가 레이저 조사에 의한 물리적 식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 금속계 복합재료층만을 식각 제거하는 (a-2) 단계가 화학 약액에 의한 화학적 식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 (a) 단계가:(a-1) 기판 상에 금속막을 형성하는 단계와;(a-2) 일정한 간격의 패턴으로 상기 금속막을 식각하여, 넓은 면이 대향되는 쌍을 이루는 배열 상태로 복수 개의 전극판이 형성되게 하는 단계와;(a-3) 상기 식각된 금속막의 측벽에 탄소나노튜브 형성촉매를 도포하는 단계와;(a-4) 상기 탄소나노튜브 형성촉매를 매개로 상기 식각된 금속막의 측벽에 탄소나노튜브를 형성하는 단계;인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 형성하는 (a-4) 단계가, 진공가열로에서 CH4, C2H2, C2H4, C2H6 및 CO로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나를 성분으로 하는 가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 형성하는 (a-4) 단계가, Co(CO)8, Fe(CO)5, Fe(C5H5)2, 에탄올(Ethanol), 메탄올(Methanol) 및 자일렌(Xylene)으로 구성된 탄소를 포함한 용매군 중의 어느 하나 또는 그 혼합용매에, 상기 탄소나노튜브 형성촉매가 도포된 결과물을 담지하고, 초음파처리하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 탄소나노튜브를 형성하는 (a-4) 단계가, 탄소나노튜브 또는 탄소나노튜브를 포함한 복합재료와 끓는점이 섭씨 80~300도 인 용매로 구성된 탄소나노튜브용액에 담지하거나, 상기 용액을 분무하는 단계인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 전계방출 에미터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP20166257 JP 일본 FAMILY
2 TW200830346 TW 대만 FAMILY
3 US20080238285 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2008166257 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 TW200830346 TW 대만 DOCDBFAMILY
3 US2008238285 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.