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탄화규소 반도체 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014011911
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 에피탁시층을 갖는 탄화규소 단결정에서 이온 주입 기법을 이용하여 반도체 소자를 만들 경우에 발생되는 탄화규소 반도체 소자의 표면 결함을 억제하도록 한 탄화규소 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 소정의 불순물이 주입된 탄화규소 에피탁시층의 표면에 소정 두께의 표면보호 산화막을 형성시키는 제 1 공정; 및 상기 제 1 공정후에 후열 처리를 행하여 상기 불순물을 활성화시키는 제 2공정을 구비하여, 에피탁시층을 가진 탄화규소에서 이온주입하여 p영역 또는 n영역을 만들 때 그 에피탁시층의 표면에 소정 두께의 표면보호 산화막을 적층시킨 후 고온에서 열처리함으로써, 탄화규소의 표면에는 매크로스텝과 같은 표면 결함이 생성되지 않게 되고, 표면의 매크로스텝이 없는 까닭으로 탄화규소 반도체의 반전층에서의 캐리어 이동도를 향상시킬 수 있다.탄화규소, 에피탁시층, 표면보호 산화막, 매크로스텝, 이온주입, 후열처리
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01) H01L 21/02378(2013.01)
출원번호/일자 1020010058883 (2001.09.22)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자 10-0446954-0000 (2004.08.24)
공개번호/일자 10-2003-0025711 (2003.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20040901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남균 대한민국 경남창원시
2 방욱 대한민국 경상남도창원시가음동
3 김은동 대한민국 경남창원시
4 김상철 대한민국 경상남도마산시합포구
5 서길수 대한민국 경상남도창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박래봉 대한민국 서울특별시 송파구 정의로*길 ** 힐스테이트에코송파 B동 ***호(로앤텍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0243771-87
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2001.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5272556-85
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2001-0116129-97
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2003-0033243-00
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0334016-62
7 의견서
Written Opinion
2003.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-0401084-60
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0401083-14
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2004.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0160743-90
10 명세서 등 보정서 (심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2004.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2004-0009660-94
11 등록결정서
Decision to grant
2004.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0340221-46
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220117-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.08 수리 (Accepted) 4-1-2010-5207456-63
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.04 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006987-25
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번호 청구항
1 1

탄화규소 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,

p형 도판트를 탄화규소 에피탁시층 표면에 이온 주입하고 나서 p형 이온 주입을 위한 마스크를 제거한 후에 상기 탄화규소 에피탁시층 표면에 표면보호 산화막을 형성시켜 이를 고온에서 열처리하여 상기 p형 도판트를 활성화시키고, 이어 n형 도판트를 p웰에 이온 주입하고 나서 n형 이온 주입을 위한 마스크를 제거한 후에 상기 탄화규소 에피탁시층 표면에 표면보호 산화막을 형성시켜 이를 고온에서 열처리하여 상기 n형 도판트를 활성화시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서,

상기 표면보호 산화막은, 탄화규소를 900℃∼1300℃의 온도에서 소정 시간 이상 건식 또는 습식 산화시킴에 의해 형성되고, 그 두께는 500Å∼30000Å인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조방법

3 3

삭제

4 4

제 1항에 있어서,

상기 표면보호 산화막은, 탄화규소를 900℃∼1300℃의 온도에서 소정 시간 이상 기상증착시킴에 의해 형성되고, 그 두께는 500Å∼30000Å인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서,

상기 표면보호 산화막은, 탄화규소를 900℃∼1300℃의 온도에서 소정 시간 이상 열산화 및 기상증착시킴에 의해 형성되고, 그 두께는 500Å∼30000Å인 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조방법

6 6

삭제

7 7

탄화규소 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,

p형 도판트를 탄화규소 에피탁시층 표면에 이온 주입한 후에 n형 도판트를 이온 주입하고 나서 n형 이온 주입을 위한 마스크를 제거한 후에 상기 탄화규소 에피탁시층 표면에 표면보호 산화막을 형성시키고 이를 고온에서 열처리하여 상기 p형 도판트 및 n형 도판트를 동시에 활성화시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 탄화규소 반도체 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.