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중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자

  • 기술번호 : KST2014012411
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다. 중공 음극 소자, 플라즈마, 평판 램프, PDP
Int. CL H01J 31/12 (2006.01) H01J 11/34 (2006.01) H01J 11/22 (2006.01)
CPC H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01) H01J 11/22(2013.01)
출원번호/일자 1020070108110 (2007.10.26)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0907324-0000 (2009.07.03)
공개번호/일자 10-2009-0042391 (2009.04.30) 문서열기
공고번호/일자 (20090713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090010526;
심사청구여부/일자 Y (2007.10.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 문정훈 대한민국 대구 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0767614-91
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2007.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0771482-00
3 선행기술조사의뢰서(내부)
Request for Prior Art Search (Inside)
2008.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2008-0019658-59
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0622529-88
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081005-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2009-0081037-24
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0081035-33
9 등록결정서
Decision to grant
2009.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0273888-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전면기판과 배면기판 중 하나인 제1 기판에 제1 금속전극을 포함하고 상기 전면기판과 상기 배면기판 중 다른 하나인 제2 기판에는 제2 금속전극과 중공을 포함하며, 상기 중공은 상기 제2 기판에 형성된 유전체막 위에 산화막과 상기 제2 금속 전극을 형성한 후 상기 제2 금속 전극으로부터 상기 산화막까지 식각하여 형성하며, 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 발생하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 중공의 직경, 깊이, 및 상기 중공이 형성되는 방전셀에 주입되는 방전 가스의 압력 중 적어도 하나 이상을 이용하여 상기 플라즈마의 발생 효율이 결정되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 제1 금속전극 위에 형성된 유전체막을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 중공은 한쪽 끝 부분이 넓은 원추형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 중공이 형성된 상기 제2 기판 위에 형성한 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 소자는, LCD를 위한 FFL의 방전셀로 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자
지정국 정보가 없습니다
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1 KR100924112 KR 대한민국 FAMILY

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