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중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자
- 기술번호 : KST2014011668
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01J 31/12 (2006.01) H01J 11/28 (2006.01) H01J 11/24 (2006.01) |
| CPC | H01J 11/24(2013.01) H01J 11/24(2013.01) H01J 11/24(2013.01) H01J 11/24(2013.01) H01J 11/24(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090010526 (2009.02.10) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0924112-0000 (2009.10.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0042764 (2009.04.30) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20091029) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | 10-2007-0108110 (2007.10.26) |
| 관련 출원번호 | 1020070108110 |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.02.10) |
| 심사청구항수 | 8 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최경철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 문정훈 | 대한민국 | 대구광역시 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충정 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 [Divisional Application] Patent Application |
2009.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0081005-74 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0152397-35 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.06.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0347194-45 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0347195-91 |
| 5 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.10.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0427901-20 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제1 금속전극을 가지는 전면기판 및 상기 제1 금속전극에 수직하게 형성되는 제2 금속전극을 가지는 배면기판을 포함하는 방전셀의 어레이 구조로서, 각 방전셀에서, 상기 제1 금속 전극은 상기 전면기판 상에 형성한 동일 투명전극 위에 평행하게 형성되는 적어도 하나 이상의 유지 전극과 보조 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 보조 전극 위에 형성된 유전체막을 상기 유지 전극과 상기 보조 전극에 대응되는 위치마다 상기 유전체막의 일정 깊이까지 식각하여 형성한 중공을 포함하며, 상기 유지 전극 또는 상기 보조 전극과 상기 제2 금속전극 사이의 전원 연결에 의한 플라즈마 발생을 위하여 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 2 |
2 제1 금속전극을 가지는 전면기판 및 상기 제1 금속전극에 수직하게 형성되는 제2 금속전극을 가지는 배면기판을 포함하는 방전셀의 어레이 구조로서, 각 방전셀에서, 상기 제1 금속 전극은 상기 전면기판 상에 형성한 동일 투명전극 위에 평행하게 형성되는 유지 전극과 보조 전극을 포함하고, 상기 유지 전극과 상기 보조 전극 위에 형성된 유전체막을 상기 유지 전극과 상기 보조 전극 중 상기 유지 전극에만 대응되는 위치마다 상기 유전체막의 일정 깊이까지 식각하여 형성한 중공을 포함하며, 상기 유지 전극 또는 상기 보조 전극과 상기 제2 금속전극 사이의 전원 연결에 의한 플라즈마 발생을 위하여 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 3 |
3 제1 금속전극을 가지는 전면기판 및 상기 제1 금속전극에 수직하게 형성되는 제2 금속전극을 가지는 배면기판을 포함하는 방전셀의 어레이 구조로서, 각 방전셀에서, 상기 배면 기판에 패턴된 상기 제2 금속 전극과 상기 제2 금속 전극 위에 유전체막, 산화막 및 금속막을 차례로 형성한 후, 상기 제2 금속 전극에 대응되는 위치에서 상기 금속막으로부터 상기 산화막까지 식각하여 형성한 중공을 포함하고, 상기 제1 금속전극과 상기 제2 금속전극 사이의 전원 연결에 의한 플라즈마 발생을 위하여 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 4 |
4 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방전셀에 주입되는 방전 가스의 일정 압력에서 상기 플라즈마의 발생 효율과 관련하여 상기 중공이 상기 중공의 깊이에 대한 일정 직경으로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 5 |
5 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중공이 형성된 상기 전면기판 위에 산화막이 형성되고(상기 중공의 측벽과 바닥에도 상기 산화막이 형성됨), 상기 배면기판의 상기 제2 금속전극 위에 유전체막과 형광막이 차례로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 6 |
6 제3항에 있어서, 상기 중공이 형성된 상기 배면기판 위에 산화막이 형성되고(상기 중공의 측벽과 바닥에도 상기 산화막이 형성됨), 상기 전면기판의 제1 금속전극 위에 유전체막과 형광체막이 차례로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 7 |
7 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중공은 입구쪽이 넓고 바닥쪽이 좁은 원추형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 8 |
8 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 발생 소자는, AC PDP의 방전셀로 이용되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | KR100907324 | KR | 대한민국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| DOCDB 패밀리 정보가 없습니다 | ||||
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0924112-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090210 출원 번호 : 1020090010526 공고 연월일 : 20091029 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091016 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01J 17/49 발명의 명칭 : 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자 존속기간(예정)만료일 : 20141023 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2009년 10월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2012년 10월 08일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 216,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [분할출원]특허출원서 | 2009.02.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0081005-74 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2009.04.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0152397-35 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.06.09 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0347194-45 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0347195-91 |
| 5 | 등록결정서 | 2009.10.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0427901-20 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014011668 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 중공 전극을 가지는 방전셀에서 플라즈마를 발생하는 소자 |
| 기술개요 |
본 발명은 중공 음극 소자(hollow cathode device)의 구조를 이용하여 효율적으로 플라즈마를 발생하는 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 플라즈마 발생 소자는, 전면기판과 배면기판 중 적어도 어느 하나에 중공을 형성하고, 상기 전면기판에 포함된 제1 금속전극과 배면기판에 포함된 제2 금속전극 사이의 상기 중공에서 형성되는 전기장을 이용하여 플라즈마를 효율적으로 발생할 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이 패널, 평판 디스플레이 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345102074 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0056737 |
| 연구과제명 | 플렉시블광자발광디스플레이소자연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200709~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345097648 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1611 |
| 연구과제명 | 전자통신기술사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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