맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

술폰산이 부분적으로 도입된 폴리벤지이미다졸, 그 제조 방법, 상기 폴리벤지이미다졸을 이용한 연료전지용 막전극접합체 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014013646
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 술폰산이 부분적으로 도입된 폴리벤지이미다졸, 그 제조 방법, 상기 폴리벤지이미다졸을 이용한 연료전지용 막전극접합체 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 무기산으로 도핑된 PBI 계 고분자의 치수 안정성을 높이고 이에 따라 기존의 PBI 계 고분자와 대비하여 더욱 높은 성능을 구현하도록 할 수 있다. 술폰산, 폴리벤지이미다졸, 연료전지, 막전극접합체, 치수 안정성
Int. CL C08G 75/20 (2006.01) C08G 61/10 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060132940 (2006.12.22)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0902411-0000 (2009.06.04)
공개번호/일자 10-2008-0058814 (2008.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20090611) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.22)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 이증우 대한민국 부산 부산진구
3 임태훈 대한민국 서울 송파구
4 남석우 대한민국 서울 동대문구
5 홍성안 대한민국 서울 강남구
6 오인환 대한민국 서울 노원구
7 함형철 대한민국 서울 성북구
8 이상엽 대한민국 서울 도봉구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0956414-10
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2007-0038261-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0590662-12
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2007.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0949358-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0082703-68
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0137057-49
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0233347-15
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0313814-80
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0394910-97
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0470727-09
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0555098-04
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-0555099-49
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0583684-97
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0033945-07
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.01.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0033944-51
17 등록결정서
Decision to grant		 2009.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0231746-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
X 및 Y가 2:1~100:1의 비율을 가지는 다음 [화학식]을 가지는 술폰산이 부분적으로 도입된 PBI를 이용하여 제조되는 고분자 전해질 막으로서, 공기 중에서 수분에 의하여 고분자 전해질 막 속의 폴리포스포릭산이 포스포릭산으로 변하여 산 도핑된 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막의 산 도핑 레벨은 2000 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막
3 3
제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 한 항에 의한 고분자 전해질 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 연료전지용 MEA
4 4
3,3'-디아미노벤지다인, 이소프탈릭산 및 5-술포이소프탈릭산을 폴리포스포릭산의 존재하에서 중합하는 단계(S1); 및 상기 S1 단계에서 제조된 PBI 공중합체를 이용하여 고분자 전해질 막을 제조하고 산 도핑하되, 상기 막을 공기 중에서 건조하여 공기 중의 수분에 의하여 폴리포스포릭산이 포스포릭산으로 변하도록 하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 PBI는 X 및 Y가 2:1~100:1의 비율을 가지는 다음 [화학식]을 가지는 PBI인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 고분자 전해질 막의 산 도핑 레벨은 2000 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조 방법
7 7
3,3'-디아미노벤지다인, 테레프탈릭산 및 5-술포이소프탈릭산을 폴리포스포릭산의 존재하에서 중합하는 단계(S1);를 포함하는 것을 특징으로 하는 술폰산이 부분적으로 도입된 PBI 고분자의 제조 방법
8 8
3,3'-디아미노벤지다인, 테레프탈릭산 및 5-술포이소프탈릭산을 폴리포스포릭산의 존재하에서 중합하여 얻어진 것으로서, X 및 Y가 2:1~100:1의 비율을 가지는 다음 [화학식]을 가지는 술폰산이 부분적으로 도입된 PBI
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08293138 US 미국 FAMILY
2 US20080241627 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008241627 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8293138 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.