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구성원자로 산소를 포함하는 기판을 준비하고, 수소와 질소의 혼합 플라즈마 개스를 발생시켜, 이 플라즈마 개스로 상기 기판 표면을 처리하여 물리적 화학적으로 변화시키고, 상기 표면 처리된 기판 위에 질화갈륨 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 구성되는 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 표면 처리된 기판은 표면에서 산소 농도가 감소되는 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 수소와 질소의 혼합비는 1:1 ∼ 1:10의 비율로 유지하는 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어인 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 박막은 먼저 기판에 완층층을 형성한 후, 그 위에 에피층을 형성하는 단계를 포함하는 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 박막은 유기금속화학기상증착법 혹은 분자선 에피탁시방법에 의하여 성장되는 질화갈륨 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 질화갈륨 박막은 유기금속화학기상증착법 혹은 분자선 에피탁시방법에 의하여 성장되는 질화갈륨 박막 제조방법
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