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(S1) 실리콘 기판 상에 알루미나층을 증착하는 단계;(S2) 상기 알루미나층 상에 팔라듐을 증착하여 팔라듐 촉매층을 형성하는 단계; 및(S3) 상기 팔라듐 촉매층 상에 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)법으로 탄소나노섬유를 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 (S3) 단계에서, 상기 탄소나노섬유는 바닥 성장(base growth)의 형태를 보이며,끝단의 곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와 지름의 종횡비는 50,000 이상인 탄소나노섬유의 성장방법
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제1항에 있어서,상기 알루미나층은, 5 nm 이상의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제1항에 있어서,상기 팔라듐 촉매층은, 0
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제1항에 있어서,상기 (S2) 단계와 상기 (S3) 단계 사이에 수행되며, 상기 팔라듐 촉매층 상에 형성된 불순물을 제거하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (S2) 단계와 상기 (S3) 단계 사이에 수행되며, 상기 증착된 팔라듐을 입자화하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제5항에 있어서,상기 증착된 팔라듐을 입자화하는 단계는, 상기 증착된 팔라듐에 수소 가스 및 아르곤 가스를 혼합 및 공급하여, 진공 내지 상압의 상태에서 500 내지 800 ℃의 온도로 가열하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제1항에 있어서,상기 (S3) 단계는, 상기 증착된 팔라듐에 탄소소스, 수소 가스 및 아르곤 가스를 혼합 및 공급하여, 진공 내지 상압의 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제7항에 있어서,상기 탄소소스는, 에틸렌 가스, 메탄 가스, 아세틸렌 가스, 벤젠, 아세톤 및 알코올로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제7항에 있어서,상기 (S3) 단계는, 600 내지 900 ℃의 온도로 가열된 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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제9항에 있어서,상기 가열은, 유도 가열(inductive heating), 마이크로웨이브 가열(microwave heating), 저항 가열(resistance heating) 및 레이저 가열(laser heating) 중에서 선택되는 어느 하나에 의해 행하여지는 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유의 성장방법
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알루미나층이 증착된 실리콘 기판 상에서 바닥 성장(base growth)의 형태로 수직 성장된 탄소나노섬유로서,끝단의 곡률반경은 5 nm 이하이고, 지름은 50 nm 이하이며, 성장길이는 1 mm 이상이고, 성장길이와 지름의 종횡비는 50,000 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노섬유
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