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질화갈륨 고 (高) 선택비의 이방성 건식 식각 방법

  • 기술번호 : KST2014013911
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨 및 알루미늄을 포함하는 질화물 반도체의 선택적 식각방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 고속 전자이동 트랜지스터(HEMT: high electron mobility transistor)나, 모듈레이션 도우프 전계 효과 트랜지스터(MODFET: modulation doped field effect transistor)와 그 밖의 전자소자 제작을 위한 질화알루미늄갈륨(AlGaN)에 대한 질화갈륨(GaN) 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 질화물 반도체 건식 식각은 전자소재 제작을 위하여 기존의 염소/아르곤(Cl2/Ar) 가스 혼합물에 산소, 황 또는 셀레늄을 첨가하고 이들의 플라즈마를 이용하여 질화알루미늄갈륨에 대한 질화갈륨의 선택적인 식각뿐만 아니라 이방성이 큰 식각 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/30621(2013.01) H01L 21/30621(2013.01)
출원번호/일자 1019990014637 (1999.04.23)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0291201-0000 (2001.03.08)
공개번호/일자 10-2000-0067108 (2000.11.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.04.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 광주광역시북구
2 장기명 대한민국 광주광역시북구
3 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원서
Patent Application		 1999.04.23 수리 (Accepted) 1-1-1999-0038413-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
3 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0330394-08
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1

질화물 반도체를 식각 하는 방법에 있어서, 산소(O), 황(S) 또는 셀레늄(Se) 기체와 할로겐 기체를 반응기에 유입시키고 플라즈마를 사용하여 질화갈륨층을 식각 하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

2 2

제 1항에 있어서, 산소는 전체기체의 0∼50%를 사용하여 식각 하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

3 3

제 1항에 있어서, 플라즈마 파워를 0∼3,000 W로 조절하는 것을 특징으로 하는 산소 플라즈마를 이용한 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

4 4

제 1항에 있어서, 플라즈마 RF 테이블 파워를 0∼500 W로 조절하는 것을 특징으로 하는 산소 플라즈마를 이용한 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

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제 1항 또는 제 3항에 있어서, 플라즈마의 생성기는 전자공명 플라즈마 (ECR), 유도결합 플라즈마(ICP), 자기장으로 강화된 플라즈마(MRIE) 중에서 선택된 어느 한 가지를 사용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 고(高)선택비의 이방성 건식 식각방법

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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 산소 플라즈마를 이용하여 질화갈륨층을 식각한 후 질화알루미늄갈륨 표면에 잔류하는 산소를 제거하기 위하여 증류수 (deionized water):암모늄플루오라이드(ammonium fluoride, NH4F):1 ~ 100%의 불산(HF)을 0∼1:0∼1:0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.