맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치

  • 기술번호 : KST2015174806
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상·하부챔버 중 상부챔버를 상단부가 절단된 반구형상으로 형성하고, 상부챔버와 동일하게 유전체관과 안테나를 각각 내측과 외측에 설치하며, 상기 상부챔버의 상측에서 반응가스가 공급되도록 다수의 샤워공이 형성된 샤워헤드를 구비하여 균일성이 보장된 고밀도 플라즈마를 생성시킬 수 있고, 안테나 내부의 인덕턴스를 감소시킴에 따라 안정적인 플라즈마를 생성시킬 수 있으며, 보조안테나에 의해 챔버 외형을 더욱 세밀하게 감쌀 수 있어 고밀도 플라즈마를 더욱 용이하게 생성시킬 수 있고, 상부안테나와 자기장부에 의해 챔버의 크기가 커질 경우, 상측에 고밀도 플라즈마를 생성시켜 웨이퍼를 식각 및 증착공정의 품질을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/3211(2013.01) H01J 37/3211(2013.01)
출원번호/일자 1020080015974 (2008.02.21)
출원인 (주)이플러스텍, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0926706-0000 (2009.11.06)
공개번호/일자 10-2009-0090638 (2009.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20091117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.21)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)이플러스텍 대한민국 서울특별시 노원구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최연조 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 공인복 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소))

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 호정광전(항주) 유한공사 중국 저장성 항주시 빈장구 빈안로 *** 텐허 하이테크존 *-제이 빌딩
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0130794-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008682-61
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.02.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5030818-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0176700-39
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0394622-87
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0394646-72
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0404025-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2010-5036551-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 상측으로 개방된 공간이 형성된 하부챔버; 상기 하부챔버의 내부와 연통되도록 상측에 설치되고, 상단부가 절단된 반구형상으로 형성된 유전체관인 상부챔버; 상기 하부챔버의 내부 공간에 설치되어 상하방향으로 이동되며, 웨이퍼가 거치되는 척; 상기 상부챔버의 외측과 일정간격으로 이격되어 외주면을 따라 코일형상으로 설치되며, 상부챔버의 외형과 동일한 형상으로 형성된 안테나; 상기 안테나에 RF주파수를 공급하는 RF주파수공급부; 상기 상부챔버의 상단에 형성되며, 다수의 샤워공이 형성된 샤워헤드; 및 상기 샤워헤드를 통해 상·하부챔버 내부로 반응가스를 공급하는 가스공급부를 포함하여 이루어지고, RF주파수공급부에서 공급되는 RF주파수가 상기 반구형상의 안테나에 의해 상기 상부챔버를 통과하여 상기 상·하부챔버에 내에 플라즈마를 형성시키고, 상기 가스공급부에 의해 공급되는 반응가스가 상기 샤워헤드에 의해 상·하부챔버에 공급되어 형성된 플라즈마를 균일하게 분포시키며, 상기 안테나의 외측에 일정간격으로 이격 설치되는 보조안테나가 더 구비되어 상기 RF주파수공급부에 의해 RF주파수가 공급되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
2 2
제1항에 있어서, 상기 안테나는 상기 상부챔버의 상단에 위치한 일단부에서 상부챔버의 하단에 위치한 타단부로 갈수록 단면적이 점진적으로 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
3 3
제1항에 있어서, 상기 안테나는 상기 상부챔버의 높이방향을 따라 다수 개로 구비되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 보조안테나는 상기 안테나의 설치높이와 동일한 선상에 설치되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
6 6
제1항에 있어서, 상기 보조안테나는 상기 안테나가 위치되지 않은 사이 외측에 설치되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
7 7
제1항에 있어서, 상기 보조안테나에 RF주파수를 공급하는 보조RF주파수공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
8 8
제1항에 있어서, 상기 안테나는 단면이 원형 또는 다각형인 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
9 9
제1항에 있어서, 상기 안테나는 내부에 냉각수가 이동되도록 냉각유로가 형성되고, 상기 냉각유로에 냉각수를 공급하는 냉각수공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
10 10
제1항에 있어서, 상기 상부챔버의 상측에 상부안테나가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
11 11
제10항에 있어서, 상기 상부안테나에 RF주파수를 공급하는 상부RF주파수공급부가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
12 12
제1항에 있어서, 상기 상부챔버의 상측에 자기장(Magnetic field)부를 더 구비하여 상·하부챔버의 내부공간 내에 형성된 자장을 이동시켜 플라즈마를 전체에 균일하게 분포시키는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
13 13
제1항에 있어서, 상기 샤워공은 샤워헤드의 중앙부에서 가장자리로 갈수록 형성밀도가 점진적으로 다르게 형성되는 것을 특징으로 하는 반구형 나선 안테나를 구비한 반도체용 플라즈마 가공장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.