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질소 - 함유 기체의 플라즈마를 이용하여 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 처리하는 방법

  • 기술번호 : KST2014013916
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소-함유 기체의 플라즈마를 이용하여 질화물 반도체의 건식 식각에 따른 결함구조를 처리하는 방법에 관한 것으로, 건식 식각된 질화물 반도체의 표면을 100 내지 1,000℃ 및 0.1 내지 760 mmHg하에서 질소-함유 기체의 플라즈마로 1 내지 60분 동안 처리하는 본 발명의 방법에 의하면, 건식 식각에 의해 질화물 반도체 표면에 형성된 결함구조를 효과적으로 회복 및 제거하여 반도체의 광학적 특성 및 전기적 특성을 향상시켜 소자의 안정성과 효율을 증대시킬 수 있다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1019990039506 (1999.09.15)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0329281-0000 (2002.03.07)
공개번호/일자 10-2001-0027650 (2001.04.06) 문서열기
공고번호/일자 (20020318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.09.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 광주광역시북구
2 장기명 대한민국 광주광역시북구
3 김상우 대한민국 광주광역시북구
4 허철 대한민국 광주광역시북구
5 이인환 대한민국 광주광역시북구
6 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오규환 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, ****호 (역삼동, 유니온센터)(리제특허법률사무소)
2 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.09.15 수리 (Accepted) 1-1-1999-0113440-47
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 1999.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1999-5333976-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.06 수리 (Accepted) 4-1-2000-0001373-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0099275-09
5 의견서
Written Opinion		 2001.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2001-0152764-55
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0010102-46
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0566027-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

100 내지 1,000℃ 및 0

2 2

제 1 항에 있어서,

질소-함유 기체가 N2, N2O, NH3 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

질화물 반도체가 질화갈륨, 알루미늄 질화갈륨(AlxGa1-xN, 0<x<1) 또는 인듐 질화갈륨(InyGa1-yN, 0<y<1)인 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제 1 항에 있어서,

질소-함유 기체의 플라즈마가, RF(radio frequency) 플라즈마, DC(direct current) 플라즈마, 전자공명 플라즈마(ECR), 유도결합 플라즈마(ICP), 트랜스포머결합 플라즈마(TCP) 및 자기장으로 강화된 플라즈마(MRIE) 중에서 선택된 하나 이상의 플라즈마 생성기로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제 4 항에 있어서,

질소-함유 기체가 플라즈마 생성기에 1 내지 4,000 sccm의 양으로 유입되는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제 1 항에 있어서,

질화물 반도체가 반응성 이온 식각(RIE), 전자공명 플라즈마(ECR), 유도결합 플라즈마(ICP), 자기장으로 강화된 플라즈마(MRIE), 반응성 이온 빔 에칭(RIBE) 및 화학적 이온 빔 에칭(CAIBE)법 중 하나 이상에 의해 건식 식각된 것임을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.