맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다중벽 탄소 나노 튜브 기반 비휘발성 메모리 소자의 설계 및 동작 방법

  • 기술번호 : KST2014013951
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분자 전기이동성 현상을 이용한 분자전자소자의 구조에 관한 것으로서 다중벽 탄소 나노 튜브 기반 비휘발성 메모리 소자의 개념적 설계 및 동작 원리를 보여주고 있다. 또한 본 발명이 제시한 메모리 구조는 탄소-탄소 반데르발스 에너지와 탄소 나노 튜브-금속 결합 에너지의 합으로부터 메모리 동작과 관련된 에너지를 구하게 된다. 소자의 동작모드인 state 0, state 1, state 2를 각각 이용하여 3bit를 할당할 수 있는 메모리 소자로써 사용가능한 구조를 제시한다. 다중벽 탄소 나노 튜브, 반데르발스 에너지, 에너지 우물.
Int. CL H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/8247 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080097088 (2008.10.02)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0037804 (2010.04.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신형순 대한민국 서울특별시 서대문구
2 원태영 대한민국 경기도 화성시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
대리인 정보가 없습니다

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2008-0693243-21
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.10.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5171144-97
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2008-5054269-81
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기이동성 현상을 이용한 분자전자소자에 있어서, 상기 분자전자소자는 다중 벽 탄소 나노 튜브를 이용하고, 로직 상태를 state 0, state 1, state 2를 이용하여 3bit를 할당하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.