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박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정감시방법

  • 기술번호 : KST2015157330
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자힘 마이크로스코피(AFM)와 이산치 웨이브릿(DWT)을 이용한 플라즈마공정 감시방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명은, AFM 영상 수집과, 수집된 영상을 분석하기 위한 AFM 영상의 웨이브릿 정보 변환기와 플라즈마 감시를 위한 감시 메트릭으로 구성된 컴퓨터 알고리즘을 이용하여 AFM 영상정보가 분석에 정량적으로 표현되도록 구비하여; 상기 AFM을 이용하여 표면거칠기 영상을 수집하고, 스캐닝한 영상에서 회색코드가 비트맵으로 변화하고 이후 DC 성분을 제거하며, 앞 과정을 거친 영상에 이산치 웨이브릿 변환을 적용한 후 얻어지는 근사치부분에 히스토그램을 적용하여 표면거칠기 윤곽선을 추출하고, 추출된 표면거칠기 윤곽선에 웨이브릿 변환을 다시 적용하여 미세부분에 대한 데이터를 확보하고 이를 플라즈마 감시를 위한 단서로 이용하며, 각 미세성분에 대한 정량적인 데이터를 구성하는 수치에 대한 패턴을 구성하고 이를 플라즈마 감시에 이용한 것을 포함한 것을 그 특징으로 한다.원자힘 마이크로스코피, 이산치 웨이브릿, 플라즈마 감시방법, 플라즈마공정, 웨이브릿 변환, 감시 메트릭
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01) H01J 37/32935(2013.01)
출원번호/일자 1020060062890 (2006.07.05)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0811101-0000 (2008.02.29)
공개번호/일자 10-2008-0004187 (2008.01.09) 문서열기
공고번호/일자 (20080306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김병환 대한민국 서울 노원구
2 원태영 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박윤호 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, 중앙빌딩 ***호 유노국제특허법률사무소 (서초동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2006-0482493-66
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0465848-19
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0758488-12
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0758482-49
5 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0077878-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.07 수리 (Accepted) 4-1-2008-0003929-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5093865-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.17 수리 (Accepted) 4-1-2009-5220324-82
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
AFM 영상 수집과, 수집된 영상을 분석하기 위한 AFM 영상의 웨이브릿 정보 변환기와 플라즈마 감시를 위한 감시 메트릭이 구성된 컴퓨터 알고리즘을 이용하여 AFM 영상정보가 분석에 정량적으로 표현되도록 구비하여; AFM을 이용하여 표면거칠기 영상을 수집하고, 스캐닝한 영상에서 회색코드가 비트맵으로 변화하고 이후 DC 성분을 제거하며, 앞 과정을 거친 영상에 이산치 웨이브릿 변환을 적용한 후 얻어지는 근사치부분에 히스토그램을 적용하여 표면거칠기 윤곽선을 추출하고, 추출된 표면거칠기 윤곽선에 웨이브릿 변환을 다시 적용하여 미세부분에 대한 데이터를 확보하고 이를 플라즈마 감시를 위한 단서로 이용하며, 각 미세성분에 대한 정량적인 데이터를 구성하는 수치에 대한 패턴을 구성하고 이를 플라즈마 감시에 이용한 것을 포함한 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마 상태를 표면거칠기의 수평, 수직 그리고 대각화 성분변화의 양으로 보다 미세하게 분석한 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
3 3
AFM 영상 수집과, 수집된 영상을 분석하기 위한 AFM 영상의 웨이브릿 정보 변환기와 플라즈마 감시를 위한 감시 메트릭이 구성된 컴퓨터 알고리즘을 이용하여 AFM 영상정보가 분석에 정량적으로 표현되도록 구비하여;플라즈마 공정을 수행한 후 반도체 웨이퍼 상의 박막표면 상태에 대한 영상을 AFM을 이용하여 수집하고, 수집된 AFM 영상을 분석하기 위해 이산치 웨이브릿 변환(DWT)을 적용하며;확보된 데이터를 플라즈마 감시를 위한 단서로 이용하며, 이로써 플라즈마 상태를 표면거칠기의 수평, 수직, 그리고 대각화 성분 변화의 양으로 보다 미세하게 분석함으로, 각 미세성분에 대한 정량적인 데이터를 구성하는 수치패턴의 특징인자를 추출하기 위한 메트릭을 계산하고;메트릭을 적용하여 계산된 특징인자는 기준 특징 인자의 값과 비교하고 이에 기초하여 플라즈마 상태를 평가하며; 각 미세 성분에 대해 확보된 영상정보의 여러 메트릭에 대한 특징인자 값을 계산하고 이에 기초하여 기준 특징인자 값을 설정하고, 계산된 특징인자 값이 추정된 기준 특징인자 값과 비교하여 플라즈마 상태를 판단한 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 이산치 웨이브릿 변환이 AFM에 적용되는 과정은, AFM을 이용하여 수집된 표면거칠기 영상을 분석을 위해 스캐닝하고, 스캐닝한 영상에서 회색코드는 비트맵으로 변화하고 이후 DC성분은 제거하며;상기 DC 성분이 제거된 영상에 이산치 웨이브릿 변환을 적용한 후 얻어지는 근사부분에 히스토그램을 적용하여 표면거칠기 윤곽선을 추출하고, 추출된 표면거칠기 윤곽선에 웨이브릿 변환을 다시 적용하여 미세 부분에 대한 데이터를 확보한 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
5 5
제 3 항에 있어서, 상기 계산된 특징인자 값과 기준 특징인자 값과의 차가 어느 임계점 이하이면 플라즈마 상태가 정상이라 판단하고 새로운 반도체 웨이퍼에 대한 공정을 수행하며;만약 그 차가 임계점 이상이면 장비에 이상이 생긴 것으로 판단하고, 이 경우 장비를 일시 중단한 후 고장원인을 진단한 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
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제 3항에 있어서,상기 이산치 웨이브릿 변환이 AFM에 적용되어 플라즈마 감시가 이루어지는 과정을 연속적 웨이브릿 변환이 적용되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막표면 특성패턴의 웨이브릿 변환을 이용한 플라즈마공정 감시방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.